[发明专利]Ⅲ族氮化物半导体发光器件

摘要

本发明涉及III族氮化物半导体发光器件，尤其是其电极结构。所述III族氮化物半导体发光器件包含衬底、多个III族氮化物半导体层和孔洞，所述多个III族氮化物半导体层生长在所述衬底上，由第一III族氮化物半导体层、第二III族氮化物半导体层和有源层组成，所述第一III族氮化物半导体层具有第一导电性，所述第二III族氮化物半导体层具有与所述第一导电性不同的第二导电性，所述有源层位于所述第一III族氮化物半导体层与所述第二III族氮化物半导体层之间，用于通过电子和空穴的复合来产生光，所述孔洞穿过所述衬底和所述多个III族氮化物半导体层。

主权项

1. 一种III族氮化物半导体发光器件，所述发光器件包含：衬底，所述衬底包括第一面和与所述第一面相反的第二面，从所述第一面至所述第二面形成沟槽；多个III族氮化物半导体层，所述多个III族氮化物半导体层包括缓冲层、n型III族氮化物半导体层、有源层和p型III族氮化物半导体层，所述缓冲层生长在其中形成有所述沟槽的所述衬底的第一面上，所述n型III族氮化物半导体层外延生长在所述缓冲层上，所述有源层外延生长在所述n型III族氮化物半导体层上，用于通过电子和空穴的复合来产生光，所述p型III族氮化物半导体层外延生长在所述有源层上；形成在所述p型III族氮化物半导体层上的p侧电极和p侧焊盘；所述多个III族氮化物半导体层具有通过形成在所述衬底的第一面中的所述沟槽而产生的开口；穿过所述开口在所述n型III族氮化物半导体层处形成的第一n侧电极，和穿过经抛光所述衬底的第二面而暴露的所述沟槽在所述n型III族氮化物半导体层处形成的第二n侧电极，所述第一n侧电极和所述第二n侧电极相互电接触；和在所述第一n侧电极和所述第二n侧电极的外壁处形成的辅助金属电极。