[实用新型]一种芯片衬底电位隔离电路无效
| 申请号： | 200720097112.9 | 申请日： | 2007-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN201146193Y | 公开（公告）日： | 2008-11-05 |
| 发明（设计）人： | 戴宇杰;张小兴;吕英杰;王洪来;黄维海 | 申请（专利权）人： | 天津南大强芯半导体芯片设计有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/092 | 分类号： | H01L27/092 |
| 代理公司： | 国嘉律师事务所 | 代理人： | 王里歌 |
| 地址： | 300457天津市开*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 一种芯片衬底电位隔离电路，包括输入检测端子，其特征在于它还包括芯片衬底、电压箝位电路和限流电路；其中，输入检测端子通过电压箝位电路和限流电路连接到芯片的衬底上。本实用新型的优越性和特点在于：整个芯片的衬底是作为芯片的一个非电源和地的输入输出端子独立使用，衬底电压发生变化的时候，芯片仍能正常工作，一般的芯片的衬底是接在地或者电源的，实现了用一般的工艺能生产对工艺有特殊要求的芯片产品，从而降低了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 芯片 衬底 电位 隔离 电路 | ||
【主权项】：
1、一种芯片衬底电位隔离电路，包括输入检测端子，其特征在于它包括芯片衬底、电压箝位电路和限流电路；其中，输入检测端子通过电压箝位电路和限流电路连接到芯片的衬底上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
