[实用新型]一种芯片衬底电位隔离电路无效
申请号: | 200720097112.9 | 申请日: | 2007-08-20 |
公开(公告)号: | CN201146193Y | 公开(公告)日: | 2008-11-05 |
发明(设计)人: | 戴宇杰;张小兴;吕英杰;王洪来;黄维海 | 申请(专利权)人: | 天津南大强芯半导体芯片设计有限公司 |
主分类号: | H01L27/092 | 分类号: | H01L27/092 |
代理公司: | 国嘉律师事务所 | 代理人: | 王里歌 |
地址: | 300457天津市开*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 芯片 衬底 电位 隔离 电路 | ||
1、一种芯片衬底电位隔离电路,包括输入检测端子,其特征在于它包括芯片衬底、电压箝位电路和限流电路;其中,输入检测端子通过电压箝位电路和限流电路连接到芯片的衬底上。
2、根据权利要求1中所述的一种芯片衬底电位隔离电路,其特征在于所说的电压箝位电路是由限流电阻I和PMOS管I构成;所说的限流电阻I的一端与外部输入检测端子连接,另一端则与芯片的P型衬底连接;所说的PMOS管I采用二极管的连接方式,其源极与P型衬底连接,其栅极和漏极连接在一起,并与地(VSS)连接,PMOS管I的衬底与电源(VDD)连接。
3、根据权利要求1中所述的一种芯片衬底电位隔离电路,其特征在于所说的限流电路是由限流电阻II、NMOS管II和NMOS管III组成;所说的限流电阻II连接在NMOS管II的源极和NMOS管III的漏极之间;所说的NMOS管II的漏极与外部输入检测端子连接,其衬底与P衬底连接,栅极连接内部电压控制信号输入端;所说的NMOS管III的漏极与限流电阻II相连,源端和衬底与地(VSS)连接,栅极连接内部电压控制信号输入端。
4、根据权利要求1中所述的一种芯片衬底电位隔离电路,其特征在于所说的限流电路是由限流电阻III、限流电阻IV、PMOS管IV、NMOS管V组成;所说的限流电阻III和限流电阻IV的一端连接MOS开关管的栅极,限流电阻III的另外一端连接PMOS管IV的漏极,限流电阻IV的另外一端连接NMOS管V的漏极;PMOS管IV的衬底和源极连接到电源(VDD)上,栅极连接内部电压控制信号;NMOS管V的源极连接内部电压控制信号输入端子,其衬底连接P型衬底,且其栅极与内部电压控制信号输入端连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的