[实用新型]一种芯片衬底电位隔离电路无效

专利信息
申请号: 200720097112.9 申请日: 2007-08-20
公开(公告)号: CN201146193Y 公开(公告)日: 2008-11-05
发明(设计)人: 戴宇杰;张小兴;吕英杰;王洪来;黄维海 申请(专利权)人: 天津南大强芯半导体芯片设计有限公司
主分类号: H01L27/092 分类号: H01L27/092
代理公司: 国嘉律师事务所 代理人: 王里歌
地址: 300457天津市开*** 国省代码: 天津;12
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摘要:
搜索关键词: 一种 芯片 衬底 电位 隔离 电路
【权利要求书】:

1、一种芯片衬底电位隔离电路,包括输入检测端子,其特征在于它包括芯片衬底、电压箝位电路和限流电路;其中,输入检测端子通过电压箝位电路和限流电路连接到芯片的衬底上。

2、根据权利要求1中所述的一种芯片衬底电位隔离电路,其特征在于所说的电压箝位电路是由限流电阻I和PMOS管I构成;所说的限流电阻I的一端与外部输入检测端子连接,另一端则与芯片的P型衬底连接;所说的PMOS管I采用二极管的连接方式,其源极与P型衬底连接,其栅极和漏极连接在一起,并与地(VSS)连接,PMOS管I的衬底与电源(VDD)连接。

3、根据权利要求1中所述的一种芯片衬底电位隔离电路,其特征在于所说的限流电路是由限流电阻II、NMOS管II和NMOS管III组成;所说的限流电阻II连接在NMOS管II的源极和NMOS管III的漏极之间;所说的NMOS管II的漏极与外部输入检测端子连接,其衬底与P衬底连接,栅极连接内部电压控制信号输入端;所说的NMOS管III的漏极与限流电阻II相连,源端和衬底与地(VSS)连接,栅极连接内部电压控制信号输入端。

4、根据权利要求1中所述的一种芯片衬底电位隔离电路,其特征在于所说的限流电路是由限流电阻III、限流电阻IV、PMOS管IV、NMOS管V组成;所说的限流电阻III和限流电阻IV的一端连接MOS开关管的栅极,限流电阻III的另外一端连接PMOS管IV的漏极,限流电阻IV的另外一端连接NMOS管V的漏极;PMOS管IV的衬底和源极连接到电源(VDD)上,栅极连接内部电压控制信号;NMOS管V的源极连接内部电压控制信号输入端子,其衬底连接P型衬底,且其栅极与内部电压控制信号输入端连接。

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