[发明专利]晶片级封装增层中的介质层结构无效
| 申请号： | 200710199395.2 | 申请日： | 2007-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN101207099A | 公开（公告）日： | 2008-06-25 |
| 发明（设计）人： | 杨文焜;余俊辉;周昭男;林志伟;黄清舜 | 申请（专利权）人： | 育霈科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明揭露一种晶片级封装中包含数贯通开口的弹性介质层结构，用以吸收应力。本发明包含一弹性介质层；其中弹性介质层材料至少包含硅为基材的材料，例如，硅氧类高分子，苯环丁烯与氮化硅，上述材料具有特定的热膨胀系数，延展系数与硬度范围。该弹性介质层可改善晶片级封装结构于温度循环测试时的机械性质可靠性。重分布层与介质层间的热膨胀系数差异会造成介质层破裂，因此，本发明还揭露一晶片级封装的介质层结构，于邻近重分布层弯曲处形成数贯通开口，以降低邻近重分布层/介质层接口附近的累积应力，避免介质层破裂。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 封装 中的 介质 结构 | ||
【主权项】：
1.一种晶片级封装结构，其特征在于，至少包含：一芯片；至少一介质层包含数开口；一重分布层与至少一介质层形成增层并与该芯片耦合，其中该介质层内包含至少一贯通开口，且该贯通开口邻近重分布层弯曲部份；一输入/输出垫片保持该芯片与该重分布层间电性连接；一焊锡球，使该重分布层与印刷电路板或外部元件形成电性耦合。
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