[发明专利]半导体结构无效
| 申请号： | 200710194796.9 | 申请日： | 2007-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN101308873A | 公开（公告）日： | 2008-11-19 |
| 发明（设计）人： | 冯家馨;卡洛斯·H·迪亚斯 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 台湾省新竹市新*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种形成零电容随机存储器单元的方法及其所产生的半导体结构。该半导体结构包括：半导体基底、位于半导体基底上的介电层、介电层中的开口、介电层上邻近开口的半导体带、位于半导体带表面上的栅极介电层、位于栅极介电层上的栅极电极、以及源极/漏极区域。其中半导体基底通过前述开口暴露出来，而源极/漏极区域位于半导体带中且邻近栅极电极。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 | ||
【主权项】：
1、一种半导体结构，至少包括：半导体基底；介电层，位于所述半导体基底上；至少一个开口，位于所述介电层中，其中所述半导体基底通过所述至少一个开口而暴露出来；至少一个半导体带，位于所述介电层上且邻近于所述至少一个开口；栅极介电层，位于所述至少一个半导体带的表面上；栅极电极，位于所述栅极介电层上；以及源极/漏极区域，位于所述至少一个半导体带中且邻近所述栅极电极。
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