[发明专利]半导体装置的制造方法及半导体装置

摘要

提供一种能够防止在从上下方向分别生长的热氧化膜的彼此间的交界面残留间隙的半导体装置的制造方法及半导体装置。在Si基板(1)上成膜SiGe层/Si层(13)/SiGe层，形成支撑体用的沟槽。接着，在Si基板(1)上方的整个面上形成支撑体膜，对其进行干蚀刻，形成支撑体(22)。然后，干蚀刻从支撑体(22)下露出的SiGe层/Si层(13)/SiGe层，形成使SiGe层的侧面露出的沟槽(h2)。在此状态下，利用氟硝酸溶液蚀刻SiGe层时，以由支撑体(22)支撑Si层(13)的形式，在Si层(13)的上下分别形成空洞部(25)、(27)。此后，热氧化Si基板(1)，在空洞部(25)、(27)内分别形成热氧化膜。

主权项

1.一种半导体装置的制造方法，包括：第一工序，在半导体基板上依次层叠第一半导体层、第二半导体层以及第三半导体层；第二工序，通过依次对所述第三半导体层、所述第二半导体层以及所述第一半导体层进行部分蚀刻，从而在所述半导体基板上形成贯通所述第三半导体层、所述第二半导体层以及所述第一半导体层的第一沟槽；第三工序，按照填埋所述第一沟槽且覆盖所述第三半导体层的方式，在所述半导体基板上方的整个面上形成支撑体膜；第四工序，通过对包括覆盖所述第三半导体层的部分的所述支撑体膜进行部分蚀刻，而使所述第三半导体层露出；第五工序，从通过所述第四工序使所述第三半导体层露出的部分开始，对所述第三半导体层、所述第二半导体层以及所述第一半导体层依次进行蚀刻，形成第二沟槽；第六工序，对在所述第二沟槽的侧面上露出的所述第一半导体层进行蚀刻，形成第一空洞部；第七工序，对在所述第二沟槽的侧面上露出的所述第三半导体层进行蚀刻，形成第二空洞部；和第八工序，对所述半导体基板进行加热，在所述第一空洞部内形成第一热氧化膜，并且在所述第二空洞部内形成第二热氧化膜。