[发明专利]像素结构及其制作方法

摘要

本发明提供一种像素结构及其制作方法，该方法包括：提供基板；在基板上形成栅极与像素电极；依序在基板上形成覆盖于该基板上的介电层以及半导体层；图案化介电层以及半导体层，以在栅极上形成图案化介电层与图案化半导体层；在基板上形成导电层；利用光掩模进行第一光刻工艺以图案化导电层，而在半导体层上形成源极与漏极，其中漏极电性连接于像素电极；在基板上形成保护层；利用该光掩模进行第二光刻工艺，以形成图案化保护层，该图案化保护层覆盖源极、漏极以及半导体层，并暴露出部分像素电极。本发明使用同一光掩模进行两次光刻工艺，分别定义出源极/漏极以及保护层的图案，因此可减少光掩模数量、有效提高产能与产品品质并降低工艺成本。

主权项

1.一种像素结构的制造方法，包含以下步骤：提供基板；在该基板上形成栅极与像素电极；依序形成覆盖于该基板上的介电层以及半导体层；图案化该介电层以及该半导体层，以在该栅极上形成图案化介电层以及图案化半导体层；在该基板上形成导电层；提供光掩模，并利用该光掩模进行第一光刻工艺以图案化该导电层，而在该图案化半导体层上形成源极与漏极，其中该漏极电性连接于该像素电极；在该基板上形成保护层；以及利用该光掩模进行第二光刻工艺，以形成图案化保护层，该图案化保护层覆盖该源极、该漏极以及该半导体层，并暴露出部分该像素电极。