[发明专利]像素结构及其制作方法

权利要求书

1.一种像素结构的制造方法，包含以下步骤：

提供基板；

在该基板上形成栅极与像素电极；

依序形成覆盖于该基板上的介电层以及半导体层；

图案化该介电层以及该半导体层，以在该栅极上形成图案化介电层以及图案化半导体层；

在该基板上形成导电层；

提供光掩模，并利用该光掩模进行第一光刻工艺以图案化该导电层，而在该图案化半导体层上形成源极与漏极，其中该漏极电性连接于该像素电极；

在该基板上形成保护层；以及

利用该光掩模进行第二光刻工艺，以形成图案化保护层，该图案化保护层覆盖该源极、该漏极以及该半导体层，并暴露出部分该像素电极。

2.如权利要求1所述的制造方法，其中该图案化保护层覆盖该源极与该漏极的侧壁表面。

3.如权利要求1所述的制造方法，其中该图案化保护层比该源极或该漏极的边缘至少宽0.5微米。

4.如权利要求1所述的制造方法，其中利用该第二光刻工艺形成该图案化保护层的步骤包含以下步骤：

在该保护层上形成光致抗蚀剂层；

利用该光掩模图案化该光致抗蚀剂层，其中通过调整工艺参数以使得图案化的该光致抗蚀剂层具有比该源极与该漏极更宽的图案；

以图案化的该光致抗蚀剂层为掩模对该保护层进行蚀刻工艺，以除去未被该光致抗蚀剂层所覆盖的部分该保护层；以及

除去剩余的该光致抗蚀剂层。

5.如权利要求4所述的制造方法，其中该工艺参数包含总曝光量、该光致抗蚀剂层的预烘烤温度以及显影时间。

6.如权利要求1所述的制造方法，其中该保护层包含感光材料，且利用该第二光刻工艺形成该图案化保护层的步骤包含以下步骤：

利用该光掩模在该保护层上定义出该光掩模的图案；以及

进行显影工艺，以除去该保护层上不具有该光掩模的图案的部分。

7.如权利要求6所述的制造方法，还包括使得具有该光掩模图案的该保护层部分再流动。

8.如权利要求1所述的制造方法，其中在该基板上形成该栅极与该像素电极的步骤包含以下步骤：

在该基板上形成透明导电层；

在该透明导电层上形成金属层；以及

图案化该透明导电层与该金属层以形成该栅极与该像素电极，其中该栅极包括该透明导电层与该金属层，而该像素电极包括该透明导电层。

9.如权利要求1所述的制造方法，还包含在该图案化半导体层上形成沟道保护层。

10.一种像素结构的制造方法，包含以下步骤：

提供基板；

在该基板上依序形成透明导电层与金属层；

图案化该透明导电层与该金属层，以形成栅极与像素电极叠层，其中该栅极与该像素电极叠层分别包括该透明导电层与该金属层；

依序形成覆盖于该基板上的介电层以及半导体层；

图案化该介电层以及该半导体层，以在该栅极上形成图案化介电层以及图案化半导体层；

形成覆盖于该基板上的导电层；

提供光掩模，并利用该光掩模进行第一光刻工艺以图案化该导电层与该金属层，以在该半导体层上形成源极与漏极并暴露出该像素电极叠层的部分的该透明导电层作为像素电极；

在该基板上形成保护层；以及

利用该光掩模而进行第二光刻工艺，以形成图案化保护层，该图案化保护层覆盖该源极、该漏极以及该半导体层，并暴露出部分该像素电极。

11.如权利要求10所述的制造方法，其中该图案化保护层覆盖该源极与该漏极的侧壁表面。

12.如权利要求10所述的制造方法，其中该图案化的保护层比该源极或该漏极的边缘至少宽约0.5微米。

13.如权利要求10所述的制造方法，其中利用该第二光刻工艺形成该图案化保护层的步骤包含以下步骤：

在该保护层上形成光致抗蚀剂层；

利用该光掩模图案化该光致抗蚀剂层，其中通过调整工艺参数以使得图案化的该光致抗蚀剂层具有比该源极与该漏极更宽的图案；

以图案化的该光致抗蚀剂层为掩模对该保护层进行蚀刻工艺，以除去未被该光致抗蚀剂层所覆盖的该保护层；以及

除去剩余的该光致抗蚀剂层。