[发明专利]具有多晶硅多层绝缘结构的非易失性存储单元有效
| 申请号： | 200710181223.2 | 申请日： | 2007-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN101221987A | 公开（公告）日： | 2008-07-16 |
| 发明（设计）人： | 赖二琨;施彦豪;徐子轩;李士勤;谢荣裕;谢光宇 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/792 | 分类号： | H01L29/792;H01L29/51;H01L29/49;H01L27/115;G11C16/14 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 王英 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种存储单元、这种存储单元所组成的阵列、及其操作方法。此存储单元包括半导体层，其具有接近此半导体层的表面并被沟道区域所分隔的至少两个源极/漏极区域；设置于此沟道区域之上的下绝缘层；设置于此下绝缘层之上的电荷储存层；设置于此电荷储存层之上的上绝缘多层结构，其中此上绝缘多层结构包括插置在第一电介质层与第二电介质层之间的多晶硅材料层；以及设置于此上绝缘多层结构之上的栅极。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 多晶 多层 绝缘 结构 非易失性 存储 单元 | ||
【主权项】：
1.一种存储单元，包括：(i)半导体层，其具有接近所述半导体层的表面并被沟道区域所分隔的至少两个源极/漏极区域；(ii)下绝缘层，其设置于所述沟道区域之上；(iii)电荷储存层，其设置于所述下绝缘层之上；(iv)上绝缘多层结构，其设置于所述电荷储存层之上，其中所述上绝缘多层结构包括插置在第一电介质层与第二电介质层之间的多晶硅材料层；以及(v)栅极，其设置于所述上绝缘多层结构之上。
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