[发明专利]非易失存储器结构及其阵列

摘要

本发明涉及非易失存储器技术领域，公开了一种非易失存储器结构，包括衬底、多个堆栈图案及多个应力图案。堆栈图案配置于衬底上，各个堆栈图案由下而上包括电荷储存结构与栅极，其中电荷储存结构至少包括电荷储存层。应力图案分别配置于相邻两个堆栈图案之间的衬底上。本发明同时公开了一种非易失存储器阵列。利用本发明，有效地简化了制作工艺，提升了产品的生产效率。另外，本发明提供的非易失存储器结构及其阵列具有较佳的电性表现。

主权项

1.一种非易失存储器结构，其特征在于，该非易失存储器结构包括：一衬底；多个堆栈图案，配置于该衬底上，各该堆栈图案由下而上包括一电荷储存结构及一栅极，其中该电荷储存结构至少包括一电荷储存层；以及多个应力图案，分别配置于相邻两个堆栈图案之间的该衬底上。