[发明专利]非易失存储器结构及其阵列

权利要求书

1.一种非易失存储器结构，其特征在于，该非易失存储器结构包括：

一衬底；

多个堆栈图案，配置于该衬底上，各该堆栈图案由下而上包括一电荷储存结构及一栅极，其中该电荷储存结构至少包括一电荷储存层；以及

多个应力图案，分别配置于相邻两个堆栈图案之间的该衬底上。

2、根据权利要求1所述的非易失存储器结构，其特征在于，该非易失存储器结构进一步包括多个掺杂区，分别配置于各该堆栈图案两侧的该衬底中，

当该多个掺杂区为N型掺杂时，该多个应力图案的材料包括拉伸应力材料；

当该多个掺杂区为P型掺杂时，该多个应力图案的材料包括压缩应力材料。

3、根据权利要求1所述的非易失存储器结构，其特征在于，该多个应力图案的材料包括氮化硅。

4、根据权利要求1所述的非易失存储器结构，其特征在于，该多个应力图案的宽度等于相邻两个堆栈图案之间的距离。

5、一种非易失存储器阵列，其特征在于，该非易失存储器阵列包括：

一衬底；

多个隔离图案，彼此平行配置于该衬底上且沿着一第一方向延伸，且该些隔离图案的材料为一应力材料；

多个掺杂区，分别配置于该些隔离图案下方的该衬底中；

多条字线，彼此平行配置于该些隔离图案上且沿着一第二方向延伸，而该第一方向与该第二方向相交；以及

多个堆栈图案，分别配置该些字线下方的相邻两个隔离图案之间的该衬底上，且在该第一方向上的相邻两个堆栈图案之间具有一开口，各该堆栈图案由下而上包括一电荷储存结构及一栅极，其中该电荷储存结构至少包括一电荷储存层。

6、根据权利要求5所述的非易失存储器阵列，其特征在于，该应力材料包括氮化硅。

7、根据权利要求5所述的非易失存储器阵列，其特征在于，

当该多个掺杂区为N型掺杂时，该应力材料包括拉伸应力材料；

当该多个掺杂区为P型掺杂时，该应力材料包括压缩应力材料。

8、根据权利要求5所述的非易失存储器阵列，其特征在于，该非易失存储器阵列进一步包括一介电层，配置于该衬底上并填满该多个开口。

9、根据权利要求8所述的非易失存储器阵列，其特征在于，该介电层的材料包括应力材料。

10、根据权利要求5所述的非易失存储器阵列，其特征在于，该些多个隔离图案的宽度等于在该第二方向上的相邻两个堆栈图案之间的距离。