[发明专利]一种立方氮化硼薄膜n型掺杂的方法无效
| 申请号： | 200710177783.0 | 申请日： | 2007-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN101441997A | 公开（公告）日： | 2009-05-27 |
| 发明（设计）人： | 张兴旺;范亚明;陈诺夫 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L21/18 | 分类号： | H01L21/18;H01L21/203;H01L21/265;H01L21/324 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明是一种立方氮化硼(c-BN)薄膜n型掺杂的方法，该方法具体包括首先利用离子束辅助沉积(Ion Beam Assisted Depostion，IBAD)方法制备高质量的c-BN薄膜，然后依次注入不同能量(50，80及100keV)的硫(S)离子(总剂量为5×1014cm-2)进入c-BN薄膜，最终实现c-BN薄膜的n型掺杂。该方法对c-BN薄膜的生长设备没有特殊要求，具有掺杂剂量和掺杂的深度可以精确控制、成本低、方法简便、使用广泛、可移植性好等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 立方 氮化 薄膜 掺杂 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种立方氮化硼薄膜n型掺杂的方法，其特征在于，材料的制备方法包括：1)采用离子束辅助沉积在衬底上沉积制备立方氮化硼薄膜；2)采用高能离子注入的方式将硫离子注入到立方氮化硼薄膜内部；3)采用热退火来消除损伤并激活杂质，从而实现对立方氮化硼薄膜的n型掺杂。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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