[发明专利]半导体发光器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200710168199.9 | 申请日： | 2007-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN101197410A | 公开（公告）日： | 2008-06-11 |
| 发明（设计）人： | 田嶋未来雄;多田善纪 | 申请（专利权）人： | 三垦电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 蔡胜有;刘继富 |
| 地址： | 日本埼玉*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体发光器件及其制造方法，该半导体发光器件包括具有两个主表面的衬底；和由化合物半导体材料制成的有源层形成部，该有源层形成部形成在所述主表面中的一个主表面上并且包括有源层。从所述有源层形成部的上表面形成穿过有源层的多个孔；在所述有源层和所述衬底之间提供对应于各个孔的多个中空部；和在平面视图上，各中空部的面积大于对应的孔的面积，并且铺展在所述有源层形成部的下表面上，从而暴露出在平面视图上覆盖所述中空部的所述有源层形成部的下表面的部分。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体发光器件，包括：具有两个主表面的衬底；和由化合物半导体材料制成的有源层形成部，其形成在所述主表面中的一个主表面上并包括有源层，其中：从所述有源层形成部的上表面形成穿过所述有源层的多个孔；在所述有源层和所述衬底之间设置多个中空部，每个所述中空部对应于每个孔；和在平面视图中，每个所述中空部的面积大于对应的孔的面积，并且铺展在所述有源层形成部的下表面上，从而暴露出在平面视图中与所述中空部交叠的所述有源层形成部的下表面的部分。
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