[发明专利]半导体发光器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体发光器件，包括：

具有两个主表面的衬底；和

由化合物半导体材料制成的有源层形成部，其形成在所述主表面中的一个主表面上并包括有源层，其中：

从所述有源层形成部的上表面形成穿过所述有源层的多个孔；

在所述有源层和所述衬底之间设置多个中空部，每个所述中空部对应于每个孔；和

在平面视图中，每个所述中空部的面积大于对应的孔的面积，并且铺展在所述有源层形成部的下表面上，从而暴露出在平面视图中与所述中空部交叠的所述有源层形成部的下表面的部分。

2.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中：

每个中空部连接对应的孔；

在所述有源层形成部的上表面上设置有衬垫电极；

在平面视图中，相邻的所述中空部在从衬垫电极朝向离开所述衬垫电极一侧的各个方向上彼此接触。

3.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述衬底不透射从所述有源层发射的光。

4.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中：

在所述有源层形成部的上表面上设置有衬垫电极；和

在平面视图中，与所述半导体发光器件的周边区域相比，在所述衬垫电极附近的所述中空部的密度较高。

5.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中：

所述衬底为硅衬底；和

利用氮化物化合物半导体制成所述有源层形成部。

6.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中：

在所述有源层形成部的下表面中的暴露部分上，形成有具有多重交替峰-谷形式的第一不平坦图案。

7.根据权利要求6所述的半导体发光器件，其中：

在所述有源层形成部的上表面上设置有透明电极；和

所述透明电极具有包括具有多重交替峰-谷形式的第二不平坦图案的表面，其中在平面视图中，与所述第一不平坦图案相比，所述第二不平坦图案的多重交替峰-谷形式中的每个峰和与其相邻的谷之间的宽度较小。

8.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中：

在平面视图中，衬垫电极形成在所述有源层形成部的上表面上，并且基本位于所述半导体发光器件的中心处；

在所述衬垫电极下方形成有保护元件，用于保护所述半导体发光器件免受可击穿所述器件的高电压；和

在所述保护元件周围形成所述有源层形成部。

9.一种制造半导体发光器件的方法，包括：

第一步，在衬底的两个主表面中的一个主表面上形成包括有源层的有源层形成部；

第二步，形成穿过所述有源层的孔；和

第三步，利用蚀刻剂蚀刻所述衬底的两个主表面的所述一个主表面的一部分，在所述有源层形成部和衬底之间形成中空部，其中所述部分由于在第二步中形成的孔而暴露。

10.根据权利要求9所述的方法，还包括：

第四步，在所述有源层形成部的下表面上形成具有多重交替峰-谷形式的第一不平坦图案，所述有源层形成部的下表面由于在第三步中形成的所述中空部而暴露。

11.根据权利要求9所述的方法，还包括：

在所述有源层形成部的上表面上形成透明电极的步骤，其中：

在相对于所述透明电极的边界面上，形成具有多重交替峰-谷形式的第二不平坦图案，其中在平面视图中，与所述第一不平坦图案相比，在所述第二不平坦图案中的多重交替峰-谷形式中的每个峰和与其相邻的谷之间的间隔较小。