[发明专利]氮化物基半导体装置的制造方法

摘要

本发明公开了一种氮化物基半导体装置的制造方法，该制造方法包括步骤：在支撑衬底上形成由氮化物基半导体构成的层叠结构，在层叠结构上沉积第一接合金属，在保持衬底上沉积第二接合金属，在其中第一接合金属和第二接合金属相互面对的状态下接合第一接合金属和第二接合金属从而接合保持衬底和层叠结构，其中第一接合金属和第二接合金属构成接合金属，并且从层叠结构分离支撑结构以将其移走。设置保持衬底的表面面积比支撑衬底的表面面积小。因而可以避免在保持衬底上的裂纹、断裂、碎屑等。

主权项

1.一种氮化物基半导体装置的制造方法，所述氮化物基半导体装置包括其中保持衬底和由氮化物基半导体构成的层叠结构通过它们之间的接合金属相结合的结构，所述制造方法包括步骤：在支撑衬底上形成由所述氮化物基半导体构成的所述层叠结构，在所述层叠结构上沉积第一接合金属，在所述保持衬底上沉积第二接合金属，在其中所述第一接合金属和所述第二接合金属相互面对的状态下接合所述第一接合金属至所述第二接合金属从而接合所述保持衬底和所述层叠结构，所述第一接合金属和所述第二接合金属构成所述接合金属，并且从所述层叠结构分离所述支撑结构以将其移走，其中对应于所述第二接合金属沉积特别的所述保持衬底的表面面积设置得比对应于所述层叠结构形成侧的所述支撑衬底的表面面积小。