[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200710165196.X | 申请日： | 2007-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN101211893A | 公开（公告）日： | 2008-07-02 |
| 发明（设计）人： | 黄宗泽 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532;H01L21/768;H01L21/31 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐金国;梁挥 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件，包括形成于半导体衬底上方具有羟基的第一绝缘层；在该第一绝缘层上方形成的具有多个线图案的线层，排列该多个线图案，使得在他们之间提供空间间隙；在各个线条图案之间的空间间隙中形成的氟掺杂的第二绝缘层；以及多层扩散保护层，其包括用于抑制多个线图案之间的介质常数增加的第一氧化层和用于防止氟从氟掺杂的第二绝缘层扩散到第一绝缘层的第二氧化层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种装置，包括：形成于半导体衬底上方的第一绝缘层；形成于所述第一绝缘层上方的扩散防止层；以及形成于所述扩散防止层上方的第二绝缘层；其中所述第二绝缘层是由氟掺杂。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东部高科股份有限公司，未经东部高科股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710165196.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：在USB主机和USB装置之间通信的方法和设备
- 下一篇：自动医学诊断盒体
