[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种装置，包括：

形成于半导体衬底上方的第一绝缘层；

形成于所述第一绝缘层上方的扩散防止层；以及

形成于所述扩散防止层上方的第二绝缘层；

其中所述第二绝缘层是由氟掺杂。

2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，还包含具有形成于所述第一绝缘层上方的多个线图案的线层，其中排列所述多个线图案从而在各个线图案之间提供空间间隙。

3.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述扩散防止层包含多层结构。

4.根据权利要求3所述的装置，其特征在于，所述多层结构包含用于抑制金属线之间介电常数增加的第一氧化层和用于防止氟从所述第二绝缘层扩散到所述第一绝缘层的第二氧化层。

5.根据权利要求4所述的装置，其特征在于，所述第一氧化层包含碳掺杂层以及所述第二氧化层包含氮掺杂层。

6.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，所述碳掺杂层和氮掺杂层以叠层设置形成使得所述碳掺杂层形成于多个线图案和所述第一绝缘层上方并与多个线图案和所述第一绝缘层直接接触，以及所述氮掺杂层形成于所述碳掺杂层上方并与所述碳掺杂层直接接触。

7.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，所述氮掺杂层具有足以防止氟扩散的厚度。

8.根据权利要求7所述的装置，其特征在于，所述氮掺杂层厚度为约300。

9.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，所述碳掺杂层厚度约为200。

10.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述第一绝缘层包含羟基。

11.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述第一绝缘层包含TEOS层。

12.一种方法，包括：

在半导体衬底上方形成第一绝缘层；

在所述第一绝缘层上方形成扩散防止层；以及随后

在所述扩散防止层上方形成第二绝缘层；

其中所述第二绝缘层由氟掺杂。

13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述第一绝缘层包括含有羟基的绝缘层。

14.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，形成所述扩散防止层的步骤包含：

在所述第一绝缘层之上形成氧化层；以及

通过将氮离子注入到所述氧化层中而形成氮掺杂层。

15.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，还包含在所述氮掺杂层下方形成碳掺杂层的步骤，其中所述氮掺杂层具有约为300的厚度以及所述碳掺杂层具有约为200的厚度。

16.根据权利要求15所述的方法，其特征在于，在200到450 keV能量和在约2×10¹³到2×10¹⁴原子每平方厘米剂量的条件下，通过注入碳离子形成所述碳掺杂层。

17.根据权利要求15所述的方法，其特征在于，在约为150～350keV能量和约5×10¹³原子每平方厘米到5×10¹⁴原子每平方厘米剂量的条件下，通过注入氮离子形成所述氮掺杂层。

18.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，还包含在所述第一绝缘层上方形成具有多个线图案的线层的步骤。

19.根据权利要求18所述的方法，其特征在于，还包含执行多个线图案的电绝缘和平面化，从而最小化所述线图案之间的寄生电容。

20.一种装置，包含：

在半导体衬底上方形成的具有羟基的第一绝缘层；

在所述第一绝缘层上方形成的具有多个线图案的线层，其中排列所述多个线图案从而在各个线图案之间提供空间间隙；

在各个线图案之间的空间间隙中形成的氟掺杂的第二绝缘层；以及

多层扩散防止层，其含有用于抑制多个线图案之间介电常数增加的第一氧化层和用于防止氟从所述氟掺杂第二绝缘层扩散到所述第一绝缘层的第二氧化层。