[发明专利]图像传感器和其制造方法无效
申请号: | 200710147181.0 | 申请日: | 2007-08-30 |
公开(公告)号: | CN101136424A | 公开(公告)日: | 2008-03-05 |
发明(设计)人: | 金荣毕 | 申请(专利权)人: | 东部高科股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L23/485;H01L21/82;H01L21/60 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 夏凯;钟强 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种图像传感器。该图像传感器包括第一钝化层、滤色器层、微透镜、最上导电层、第二钝化层和第三钝化层。第一钝化层形成在基板上,该基板包括预定的像素部分和逻辑电路焊盘部分。滤色器层和微透镜形成在与像素部分对应的第一钝化层的部分上。最上导电层形成在与逻辑电路焊盘部分对应的第一钝化层的部分上。第二钝化层形成在与逻辑电路焊盘部分对应的第一钝化层上,以使最上导电层的一部分暴露。第三钝化层形成在第二钝化层上,以暴露最上导电层。 | ||
搜索关键词: | 图像传感器 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种图像传感器,包括:位于基板上的第一钝化层,所述第一钝化层包括像素部分和逻辑电路焊盘部分;滤色器层,形成在与像素部分对应的第一钝化层的部分上;微透镜,形成于像素部分上的滤色器层上;最上导电层,形成于与逻辑电路焊盘部分对应的第一钝化层的部分中;第二钝化层,位于与逻辑电路焊盘部分对应的第一钝化层上,并形成该第二钝化层以使最上导电层的一部分暴露;以及第三钝化层,位于逻辑电路焊盘部分上的第二钝化层上,并形成该第三钝化层以暴露最上导电层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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