[发明专利]图像传感器和其制造方法

说明书

背景技术

一般地，图像传感器是一种将光学图像转换为电信号的半导体器件。图像传感器可大致分为电荷耦合器件(CCD)和互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器(CIS)。

CIS在单元像素中包括光敏二极管和MOS晶体管，并以切换的方式顺序检测来自各个单元像素的电信号，以实现图像。

根据现有技术，由于CIS的最上导电层上的包括第一绝缘层和第二绝缘层的钝化层的厚度非常厚，而从包括滤色器层和微透镜的聚光(condensing)部分到作为光检测部分的光敏二极管的距离非常长，因此图像特性退化。

发明内容

实施例提供了一种图像传感器和其制造方法，其可以通过缩短聚光部分和传感器部分之间的距离来改进CMOS图像传感器的图像特性。

在一个实施例中，图像传感器包括：第一钝化层，位于包括预定像素部分和逻辑电路焊盘部分的基板上；滤色器层和微透镜，形成在与像素部分对应的第一钝化层的部分上；最上导电层，位于与逻辑电路焊盘部分对应的第一钝化层的部分中；第二钝化层，位于与逻辑电路焊盘部分对应的第一钝化层上，以暴露一部分的最上导电层；以及第三钝化层，位于第二钝化层上，以暴露最上导电层。

在另一实施例中，用于制造图像传感器的方法包括：在包括预定像素部分和预定逻辑电路焊盘部分的基板上形成第一钝化层；在与逻辑电路焊盘部分对应的第一钝化层的部分中形成最上导电层；在包括最上导电层的第一钝化层的整个表面上顺序形成第二钝化层和第三钝化层；使与像素部分对应的第一钝化层的部分和最上导电层暴露；以及在与像素部分对应的第一钝化层的暴露部分上顺序形成滤色器层和微透镜。

在下面的附图和说明中将描述一个或多个实施例的细节。从说明书和附图中，以及从权利要求中，可清楚地了解其他特征。

附图说明

图1是根据实施例的CMOS图像传感器的截面图。

图2至图5是解释根据实施例的CMOS图像传感器的制造方法的截面图。

具体实施方式

现在将详细讲述本公开的实施例、在附图中示出了其示例。

在实施例的说明中，将理解，当层(或膜)被称为在另一层或基板“上”时，它可以是直接位于另一层或基板上，或者也可以存在中间层。另外，当层被称为在另一层“下”时，它可以是直接位于另一层下，或者也可以存在一个或多个中间层。此外，当层被称为在两层“之间”时，它可以是两层之间的唯一的层，或者也可以存在一个或多个中间层。

图1是根据实施例的CMOS图像传感器的截面图。

CMOS图像传感器被分为像素部分102和逻辑电路焊盘(logicpad)部分104。CMOS图像传感器可包括：基板110，其上形成有第一钝化层130；滤色器层160和微透镜180，它们顺序形成在与像素部分102对应的第一钝化层130的部分上；最上导电层190，形成在与逻辑电路焊盘部分104对应的第一钝化层130的部分中；第二钝化层140，形成在与逻辑电路焊盘104对应的第一钝化层130的部分上，以暴露一部分最上导电层190；以及第三钝化层150，形成于第二钝化层140上，以暴露最上导电层190。

进一步的实施例可包括形成于基板110和第一钝化层130之间的绝缘层120。

实施例还可进一步包括滤色器层160和微透镜180之间的平坦化层170。

在根据实施例的CMOS图像传感器中，包括滤色器层的聚光部分可位于距离基板比现有技术更近的距离处。在一个实施例中，聚光部分可以比现有技术的近等于第二钝化层和第三钝化层的厚度之和的距离。因此，可缩短到传感器部分的距离，并且图像特性可显著提高。

图2至图5是解释根据实施例的CMOS图像传感器的制造方法的截面图。

将根据实施例描述CMOS图像传感器的制造过程。

首先，参考图2，可制备具有预定的像素部分102和逻辑电路焊盘部分104并包括第一钝化层130的基板110。可以在逻辑电路焊盘部分的第一钝化层130中形成最上导电层190。然后，第二钝化层140和第三钝化层150可顺序形成于包括最上导电层190的第一钝化层130上。