[发明专利]图像传感器和其制造方法

权利要求书

1.一种图像传感器，包括：

位于基板上的第一钝化层，所述第一钝化层包括像素部分和逻辑电路焊盘部分；

滤色器层，形成在与像素部分对应的第一钝化层的部分上；

微透镜，形成于像素部分上的滤色器层上；

最上导电层，形成于与逻辑电路焊盘部分对应的第一钝化层的部分中；

第二钝化层，位于与逻辑电路焊盘部分对应的第一钝化层上，并形成该第二钝化层以使最上导电层的一部分暴露；以及

第三钝化层，位于逻辑电路焊盘部分上的第二钝化层上，并形成该第三钝化层以暴露最上导电层。

2.如权利要求1所述的图像传感器，进一步包括在基板和第一钝化层之间的绝缘层。

3.如权利要求1所述的图像传感器，进一步包括在滤色器层和微透镜之间的平坦化层。

4.如权利要求1所述的图像传感器，其中该第二钝化层具有比第一和第二钝化层更高的蚀刻选择比。

5.如权利要求4所述的图像传感器，其中该第三钝化层对第二钝化层的蚀刻选择比至少为10∶1。

6.如权利要求1所述的图像传感器，其中该第二钝化层包括氮化硅层，该第一钝化层包括氧化物层，而第三钝化层包括氧化物层。

7.一种制造图像传感器的方法，该方法包括：

在基板上形成第一钝化层，所述第一钝化层包括预定的像素部分和预定的逻辑电路焊盘部分；

在与逻辑电路焊盘部分对应的第一钝化层的部分上形成最上导电层；

在包括最上导电层的第一钝化层的整个表面上顺序形成第二钝化层和第三钝化层；

使与像素部分对应的第一钝化层的部分和最上导电层暴露；

在与像素部分对应的第一钝化层的暴露部分上形成滤色器层；以及

在像素部分上的滤色器层上形成微透镜。

8.如权利要求7所述的方法，其中使与像素部分对应的第一钝化层的部分和最上导电层暴露的步骤包括：

蚀刻第三钝化层，以暴露与像素部分对应的第二钝化层的部分和与最上导电层部分对应的第二钝化层的部分；以及

蚀刻第二钝化层，以暴露与像素部分对应的第一钝化层的部分和最上导电层。

9.如权利要求8所述的方法，其中蚀刻第三钝化层包括：

在第三钝化层上形成光致抗蚀剂图案，其完全暴露与像素部分对应的第三钝化层的部分，并有选择地暴露与逻辑电路焊盘部分上的最上导电层对应的第三钝化层的部分；以及

使用该光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩膜来蚀刻第三钝化层的暴露部分，以暴露与像素部分对应的第二钝化层的部分和与最上导电层对应的第二钝化层的部分。

10.如权利要求9所述的方法，其中蚀刻第二钝化层包括：

使用该光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩膜来蚀刻第二钝化层的暴露的部分。

11.如权利要求9所述的方法，其中蚀刻第二钝化层包括：

移除该光致抗蚀剂图案；以及

使用蚀刻的第三钝化层作为蚀刻掩膜来蚀刻第二钝化层的暴露的部分。

12.如权利要求7所述的方法，进一步包括在滤色器层和微透镜之间形成平坦化层。

13.如权利要求7所述的方法，进一步包括在形成第一钝化层之后将第一钝化层平坦化。

14.如权利要求7所述的方法，其中该第二蚀刻层具有比第一和第二钝化层更高的蚀刻选择比。

15.如权利要求14所述的方法，其中该第三钝化层对第二钝化层的蚀刻选择比为至少10∶1。

16.如权利要求7所述的方法，其中该第二钝化层包括氮化硅层，该第一钝化层包括氧化物层，而第三钝化层包括氧化物层。