[发明专利]非易失性存储器件及其自补偿方法无效
| 申请号： | 200710145589.4 | 申请日： | 2007-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN101211659A | 公开（公告）日： | 2008-07-02 |
| 发明（设计）人： | 金基锡 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06;G11C16/08;G11C16/34 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 杨生平;杨林森 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种非易失性存储器件，包括：存储单元阵列，所述存储单元阵列包括至少一个区块，所述区块具有多个存储单元以及与每个区块有关的至少一个参考单元；X解码器和Y解码器，用于根据输入地址选择存储单元来操作；页面缓冲器，用于编程数据到由X解码器和Y解码器选择的存储单元中、或读取被编程的数据；以及控制器，用于控制存储单元阵列、X解码器、Y解码器和页面缓冲器，以计算存储单元的阈值电压的改变、并基于参考单元的阈值电压的改变来补偿存储单元的改变的阈值电压。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 及其 补偿 方法 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性存储器件，包括：存储单元阵列，包括一个或多个区块，每个区块具有多个存储单元以及至少一个参考单元；X解码器和Y解码器，用于根据输入地址选择存储单元来操作；至少一个页面缓冲器，用于编程数据至由所述X解码器和所述Y解码器选择的存储单元、或读取由所述X解码器和所述Y解码器所选择的所述存储单元中被编程的数据；以及控制器，用于控制所述存储单元阵列、所述X解码器、所述Y解码器和所述页面缓冲器，所述控制器被配置成计算所述区块中所述存储单元的阈值电压的改变、并启动步骤来补偿改变的阈值电压，其中所述阈值电压的改变的计算基于所述参考单元的阈值电压的改变。
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