[发明专利]非易失性存储器件及其自补偿方法

权利要求书

1.一种非易失性存储器件，包括：

存储单元阵列，包括一个或多个区块，每个区块具有多个存储单元以及至少一个参考单元；

X解码器和Y解码器，用于根据输入地址选择存储单元来操作；

至少一个页面缓冲器，用于编程数据至由所述X解码器和所述Y解码器选择的存储单元、或读取由所述X解码器和所述Y解码器所选择的所述存储单元中被编程的数据；以及

控制器，用于控制所述存储单元阵列、所述X解码器、所述Y解码器和所述页面缓冲器，所述控制器被配置成计算所述区块中所述存储单元的阈值电压的改变、并启动步骤来补偿改变的阈值电压，其中所述阈值电压的改变的计算基于所述参考单元的阈值电压的改变。

2.如权利要求1的非易失性存储器件，其中所述控制器基于从所述参考单元的阈值电压的改变的计算获得的信息来启动所述区块中所述存储单元的再编程以作为所述补偿步骤。

3.如权利要求1的非易失性存储器件，其中所述控制器基于从所述参考单元的阈值电压的改变的计算获得的信息来调整所述区块中所述存储单元的读取电压电平以作为所述补偿步骤。

4.一种非易失性存储器件，包括：

存储单元阵列，包括一个或多个区块，每个区块具有多个存储单元；

X解码器和Y解码器，配置成根据输入地址选择存储单元来操作；

至少一个页面缓冲器，配置成编程数据至由所述X解码器和所述Y解码器选择的存储单元、或从由所述X解码器和所述Y解码器选择的所述存储单元中读取数据；以及

控制器，配置成控制所述存储单元阵列、所述X解码器、所述Y解码器以及所述页面缓冲器，所述控制器被配置成在所述存储单元阵列的每个区块中的一个或多个存储单元上执行周期性的读取操作以及如果所述周期性的读取显示所述区块中的所述存储单元具有高的失效率则在所述区块中的所述存储单元上执行补偿步骤。

5.如权利要求4的非易失性存储器件，其中如果在所述周期性读取期间具有失效的存储单元的数量等于或高于参考值，所述区块被认为具有所述高的失效率。

6.如权利要求4的非易失性存储器件，其中所述控制器启动所述区块中的所述存储单元的再编程以作为所述补偿步骤。

7.如权利要求4的非易失性存储器件，其中所述控制器调整所述区块中的所述存储单元的读取电压电平以作为所述补偿步骤。

8.一种用于操作非易失性存储器件的方法，所述非易失性存储器件包括存储单元阵列，所述存储单元阵列具有至少一个区块，所述区块具有多个存储单元，所述方法包括：

测量与所述区块相关的参考单元的阈值电压的改变；

使用在所述测量步骤中测量的所述改变来计算所述区块中的存储单元的阈值电压的改变；以及

基于从所述计算步骤获得的信息在所述区块的所述存储单元上执行补偿步骤。

9.如权利要求8的方法，其中所述区块中的所述存储单元被再编程以作为所述补偿步骤部分。

10.如权利要求8的方法，其中所述区块中的所述存储单元的读取电压电平被调整以作为所述补偿步骤部分。

11.如权利要求8的方法，其中所述计算步骤将线性函数与所述参考单元的所述阈值电压的改变结合，以计算所述区块的所述存储单元的所述阈值电压的改变。

12.如权利要求8的方法，其中将所计算的所述存储单元的所述阈值电压的改变与参考值比较，以确定是否执行所述补偿步骤。

13.一种操作非易失性存储器件的方法，所述非易失性存储器件包括存储单元阵列，所述存储单元阵列具有至少一个区块，所述区块具有多个存储单元，所述方法包括：

测量与所述区块相关的参考单元的阈值电压的改变；

使用在所述测量步骤中测量的改变来计算所述区块中存储单元的阈值电压的改变；

基于由所述计算步骤获得的信息确定执行补偿步骤；以及

基于由所述确定步骤获得的结果在所述区块的所述存储单元上执行所述补偿步骤。

14.如权利要求13的方法，其中通过将所述参考单元的所述阈值电压的改变与线性函数结合，来计算所述区块中所述存储单元的所述阈值电压的改变。