[发明专利]半导体基底的清洗方法无效
| 申请号： | 200710141772.7 | 申请日： | 2007-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN101373704A | 公开（公告）日： | 2009-02-25 |
| 发明（设计）人： | 孙智强;蓝天呈;李华国;陈京好;黄文俊;王润顺;王敬玲;杨大江;王志祥 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/311;H01L21/3105;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 彭久云;陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体基底的清洗方法。首先，提供半导体基底，半导体基底包含有材料层与图案化光刻胶层，且图案化光刻胶层位于材料层上。之后，利用图案化光刻胶层作为蚀刻掩模对材料层进行接触蚀刻工艺，以在材料层中形成蚀刻孔洞。接着，利用清洗溶剂对半导体基底进行溶剂清洗工艺。其后利用去离子水对半导体基底进行水洗工艺，其中去离子水的温度范围介于30℃至99℃之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 基底 清洗 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体基底的清洗方法，包含有：提供半导体基底，该半导体基底包含有材料层与图案化光刻胶层，且该图案化光刻胶层位于该材料层上；利用该图案化光刻胶层作为蚀刻掩模来蚀刻该材料层，以在该材料层中形成蚀刻孔洞；利用清洗溶剂对该半导体基底进行溶剂清洗工艺；以及利用去离子水对该半导体基底进行水洗工艺，且该去离子水的温度范围介于30℃至99℃之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
