[发明专利]存储器单元结构及磁阻性随机存取存储器结构有效
| 申请号： | 200710141045.0 | 申请日： | 2007-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN101197345A | 公开（公告）日： | 2008-06-11 |
| 发明（设计）人： | 廖忠志;王郁仁;蔡嘉雄 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L27/22;G11C11/15 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种存储器单元结构及磁阻性随机存取存储结构，包括：一存储器叠层，具有一下电极及一上电极；一导体延伸层，电性连接下电极，且具有一延伸部，其自存储器叠层横向延伸，该存储器叠层形成于导体延伸层的主要部分上；一数据控制线，用以控制该存储器叠层的存储状态，其直接形成于存储器叠层和导体延伸层的主要部分下；一下金属层，形成于延伸部之下，且电性耦接于一开关装置，以读取存储器叠层的存储状态；以及一介层插塞结构，直接连接延伸部至下金属层，且直接横向相邻于数据控制线。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 单元 结构 磁阻 随机存取存储器 | ||
【主权项】：
1.一种存储单元结构，包括：一存储叠层，具有一下电极及一上电极；一导体延伸层，电性连接该下电极，且具有一延伸部，其自该存储叠层横向延伸，该存储叠层形成于该导体延伸层的主要部分上；一数据控制线，用以控制该存储叠层的存储状态，其直接形成于该存储叠层和该导体延伸层的主要部分下；一下金属层，形成于该延伸部之下，且电性耦接于一开关装置，以读取该存储叠层的存储状态；以及一介层插塞结构，直接连接该延伸部至该下金属层，且直接横向相邻于该数据控制线。
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