[发明专利]测试结构及测试方法无效
| 申请号： | 200710140933.0 | 申请日： | 2007-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN101364573A | 公开（公告）日： | 2009-02-11 |
| 发明（设计）人： | 柯文雄;张文俊;苏冠丞 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;H01L23/544;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明揭示一种晶片层次的测试结构及测试方法，其中使用一加热层设置于晶片中以直接对设置于加热层上方或邻边的待测结构加热。加热层藉由接通电流以生热。因此，加热层的加热与待测结构的电性输出入分别控制，不互相影响。 | ||
| 搜索关键词： | 测试 结构 方法 | ||
【主权项】：
1.一种测试结构，包括：加热层，位于晶片上，供接通电流以进行加热；及待测结构，位于该加热层的上方或邻边，于该加热层进行加热时被加热。
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