[发明专利]具有浮动电极的半导体装置有效
| 申请号： | 200710139927.3 | 申请日： | 2007-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN101165915A | 公开（公告）日： | 2008-04-23 |
| 发明（设计）人： | 寺岛知秀;鱼田紫织 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/73 | 分类号： | H01L29/73 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王岳;刘宗杰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种抑制了寄生动作的半导体装置。该半导体装置具有n－区域(2a)、与n－区域(2a)分离地形成的n－区域(2c)、形成在n－区域(2a)和n－区域(2c)之间的n－区域(2b)、配置于n－区域(2c)和n－区域(2b)之间并具有比p－区域(1)低的电阻的p扩散区域(4b)。具有以与n－区域(2a)的方式形成的发射极(7)。具有以与n－区域(2c)接触的方式形成的发射极(9)。具有形成在被n－区域(2a)和n－区域(2b)夹持的区域的基极(8)。n－区域(2b)和p扩散区域(4b)通过导线(11)电连接。n－区域(2b)与n－区域(2c)的距离Y大于n－区域(2b)的宽度X。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 浮动 电极 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，具有：以在平面上延伸的方式形成的第一导电型的第一半导体区域；配置于上述第一半导体区域的上侧的第二导电型的第二半导体区域；第二导电型的第三半导体区域，配置于上述第一半导体区域的上侧，与上述第二半导体区域分离地形成；第二导电型的第四半导体区域，配置于上述第一半导体区域的上侧，在上述第二半导体区域和上述第三半导体区域之间与上述第二半导体区域和上述第三半导体区域分离地形成；第一导电型的第五半导体区域，配置于上述第一半导体区域的上侧，配置于上述第三半导体区域和上述第四半导体区域之间，其电阻比第一半导体区域低；第一电极，以与上述第二半导体区域接触的方式形成；第二电极，以与上述第三半导体区域接触的方式形成；第三电极，形成在被上述第二半导体区域和上述第四半导体区域夹持的区域，上述第四半导体区域和上述第五半导体区域以导电性构件电连接，上述第四半导体区域与上述第三半导体区域的距离比上述第四半导体区域的宽度长。
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