[发明专利]具有低缺陷密度的半导体发光组件及其制造方法有效
| 申请号： | 200710139192.4 | 申请日： | 2007-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN101355124A | 公开（公告）日： | 2009-01-28 |
| 发明（设计）人： | 王伟凯 | 申请（专利权）人： | 广镓光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海虹桥正瀚律师事务所 | 代理人： | 李佳铭 |
| 地址： | 台湾省台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体发光组件及其制造方法。本发明的半导体发光组件包含一基板、一多层结构以及一欧姆电极结构。该基板具有一第一上表面以及形成于该第一上表面上的数个凹陷。该多层结构形成于该基板上并且包含一发光区。该多层结构的一最底层形成于该基板的该第一上表面上。该最底层具有一第二上表面以及形成于该第二上表面上的数个均匀分布的孔洞。该欧姆电极结构形成于该多层结构上。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 缺陷 密度 半导体 发光 组件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体发光组件，其特征在于，包含：一基板，所述基板具有一第一上表面以及形成于所述第一上表面上的数个凹陷；一多层结构，所述多层结构形成于所述基板上并且包含一发光区，所述多层结构的一最底层形成于所述基板的所述第一上表面上，所述最底层具有一第二上表面以及形成于所述第二上表面上的数个均匀分布的孔洞；以及一欧姆电极结构，所述欧姆电极结构形成于所述多层结构上。
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