[发明专利]半导体存储元件与静态随机存取存储晶胞布局

摘要

本发明是有关于一种半导体存储元件与静态随机存取存储晶胞布局，其中该半导体存储元件包括双稳态正反器(Bi－stable Flip－flop)晶胞，其中此双稳态正反器晶胞具有数据储存节点与反相数据(Data Bar)储存节点。第一电容器将数据储存节点与一预设电压电性耦合，且第二电容器将反相数据储存节点与此预设电压电性耦合。第一电容器与第二电容器均包括上导电电极位于下接触电极上，且介电层介于上导电电极与下接触电极之间。下接触电极位于形成数据储存节点与反相数据储存节点的至少二不同主动区上。本发明的半导体存储元件可有效提升半导体存储元件的操作可靠度。本发明的静态随机存取存储晶胞布局不仅可提升静态随机存取存储晶胞的效能，更具有成本效益。

主权项

1.一种半导体存储元件，其特征在于其至少包括：一双稳态正反器晶胞，具有一数据储存节点与一反相数据储存节点；一第一电容器，将该数据储存节点电性耦合至一预设电压；以及一第二电容器，将该反相数据储存节点电性耦合至该预设电压，其中该第一电容器与该第二电容器均包括一上导电电极位于一下接触电极上，且一介电层介于该上导电电极与该下接触电极之间，其中该下接触电极位于形成该数据储存节点与该反相数据储存节点的至少二不同主动区上。