[发明专利]图形形成方法以及图形形成装置无效
| 申请号： | 200710136194.8 | 申请日： | 2007-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN101123182A | 公开（公告）日： | 2008-02-13 |
| 发明（设计）人： | 山本太郎 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;G03F7/00 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种能够防止在基板上发生处理不良的图形形成方法，包括：在作为基板的晶片W上涂敷抗蚀剂形成抗蚀剂膜并且涂敷保护液形成保护膜的工序(步骤2)；在浸渍在作为具有比水高的折射率的液体的高折射率液体中的状态下，使在晶片W上形成的抗蚀剂膜液浸曝光成规定图形的工序(步骤5)；对液浸曝光后的抗蚀剂膜进行显影的工序(步骤8)；和在抗蚀剂膜形成后液浸曝光前、以及液浸曝光后显影前，使用高折射率液体作为清洗液来清洗晶片W的工序(步骤4、6)。 | ||
| 搜索关键词： | 图形 形成 方法 以及 装置 | ||
【主权项】：
1.一种图形形成方法，其特征在于：其是在基板上形成规定抗蚀剂图形的图形形成方法，包括：在基板上涂敷抗蚀剂形成抗蚀剂膜的工序；使在基板上形成的抗蚀剂膜在浸渍在作为具有比水高的折射率的液体的高折射率液体中的状态下，液浸曝光成规定图形的工序；对液浸曝光后的抗蚀剂膜进行显影的工序；和在抗蚀剂膜形成后液浸曝光前、以及液浸曝光后显影前的至少一个时期，使用包含所述高折射率液体的有效成分的清洗液清洗基板的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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