[发明专利]半导体装置制造方法及半导体装置

摘要

提供了一种半导体装置制造方法，包括场氧化物绝缘薄膜形成步骤，所述场氧化物绝缘薄膜形成步骤包括形成场氧化物绝缘薄膜(12)，使得当在平面图中观察半导体衬底(11)时，在有源区域(13)中，部分(13a)朝着离心力作用方向(F)的前向侧具有曲面凸出，所述部分(13a)对应于所述有源区域(13)的侧表面部分，所述侧表面部分沿着半导体衬底(11)的表面在离心力作用方向(F)上与半导体衬底(11)的表面上旋转涂覆中的旋转中心(O)相对。

主权项

1.一种半导体装置制造方法，包括：场氧化物绝缘薄膜形成步骤，包括：使半导体衬底表面经历局部氧化；沿着半导体衬底表面形成场氧化物绝缘薄膜；和通过使用场氧化物绝缘薄膜将半导体衬底表面分成多个有源区域；电极形成步骤，包括：在半导体衬底表面上形成电极薄膜；通过旋转涂覆在电极薄膜表面上涂覆光致抗蚀剂；使光致抗蚀剂暴露于光；和刻蚀并移除电极薄膜的不必要部分，以形成电极；和电阻器形成步骤，包括：在衬底表面上形成电阻器薄膜；通过旋转涂覆在电阻器薄膜的表面上涂覆光致抗蚀剂；使光致抗蚀剂暴露于光；和刻蚀并移除电阻器薄膜的不必要部分，以形成电阻器；其中，所述场氧化物绝缘薄膜形成步骤包括：形成场氧化物绝缘薄膜，使得一部分沿着半导体衬底朝着离心力的前向方向具有曲面凸出，所述一部分构成每个有源区域的侧表面部分，与用于旋转涂覆的半导体衬底表面的旋转中心相对，且沿着半导体衬底表面定位在离心力作用方向的前侧。