[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200710104114.0 | 申请日： | 2007-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN101075638A | 公开（公告）日： | 2007-11-21 |
| 发明（设计）人： | 筒井将史 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L27/04;H01L21/336;H01L21/28;H01L21/822 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李贵亮 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：由元件隔离区域11包围的第一活性区域10a，形成在第一活性区域10a上且具有突出在元件隔离区域11上的突出部分的第一栅电极13a，第一侧壁绝缘膜15a、16a，与第一栅电极13a的突出部分在栅极宽度方向上留有间隔而形成的辅助图案13b，第二侧壁绝缘膜15b、16b，具有内部应力的应力绝缘膜19。第一栅电极13a和辅助图案13b之间的间隔小于第一侧壁绝缘膜15a、15b的膜厚与第二侧壁绝缘膜15b、16b的膜厚之和与应力绝缘膜19的膜厚的2倍值的合计值。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于：包括：半导体衬底中的由元件隔离区域包围的第一活性区域，形成在所述第一活性区域上且具有突出在所述元件隔离区域上的突出部分的第一栅电极，形成在所述第一栅电极侧面的第一侧壁绝缘膜，形成在所述半导体衬底上且在栅极宽度方向上与所述第一栅电极的突出部分保持有间隔的辅助图案，形成在所述辅助图案侧面的第二侧壁绝缘膜，以及所形成的覆盖所述第一栅电极与第一侧壁绝缘膜、所述辅助图案与第二侧壁绝缘膜的具有内部应力的应力绝缘膜；所述第一栅电极和所述辅助图案之间的间隔，比所述第一侧壁绝缘膜的膜厚与所述第二侧壁绝缘膜的膜厚之和与所述应力绝缘膜的膜厚的2倍值的合计值小。
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