[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200710104114.0 | 申请日： | 2007-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN101075638A | 公开（公告）日： | 2007-11-21 |
| 发明（设计）人： | 筒井将史 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L27/04;H01L21/336;H01L21/28;H01L21/822 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李贵亮 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件，其特征在于：
包括：
半导体衬底中的由元件隔离区域包围的第一活性区域，
形成在所述第一活性区域上且具有突出在所述元件隔离区域上的突出部分的第一栅电极，
形成在所述第一栅电极侧面的第一侧壁绝缘膜，
形成在所述半导体衬底上且在栅极宽度方向上与所述第一栅电极的突出部分保持有间隔的辅助图案，
形成在所述辅助图案侧面的第二侧壁绝缘膜，以及
所形成的覆盖所述第一栅电极与第一侧壁绝缘膜、所述辅助图案与第二侧壁绝缘膜的具有内部应力的应力绝缘膜；
所述第一栅电极和所述辅助图案之间的间隔，比所述第一侧壁绝缘膜的膜厚与所述第二侧壁绝缘膜的膜厚之和与所述应力绝缘膜的膜厚的2倍值的合计值小。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：
形成在所述第一栅电极和所述辅助图案之间的区域上的所述应力绝缘膜的膜厚，比在栅极长度方向上离开所述第一侧壁绝缘膜的所述元件隔离区域上形成的所述应力绝缘膜的膜厚厚。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：
形成在所述第一栅电极和所述辅助图案之间的区域上的所述应力绝缘膜的上表面，具有与所述第一栅电极的上表面的高度相等的或者比所述第一栅电极的上表面的高度高的高度。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：
所述第一栅电极和所述辅助图案之间的间隔由所述第一侧壁绝缘膜与所述第二侧壁绝缘膜以及所述应力绝缘膜填充。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：
所述第一栅电极和所述辅助图案之间的间隔由所述第一侧壁绝缘膜和所述第二侧壁绝缘膜填充。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：
所述第一栅电极和所述辅助图案之间的间隔小于所述第一侧壁绝缘膜的膜厚与所述第二侧壁绝缘膜的膜厚之和。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：
所述第一侧壁绝缘膜和所述第二侧壁绝缘膜具有剖面形状是L字形的第一侧壁。
8.根据权利要求7所述的半导体器件，其特征在于：
所述第一侧壁绝缘膜和所述第二侧壁绝缘膜，进一步具有所形成的覆盖所述第一侧壁中的L字形内侧表面的第二侧壁。
9.根据权利要求8所述的半导体器件，其特征在于：
所述第二侧壁具有内部应力。
10.根据权利要求1到9中之任一项权利要求所述的半导体器件，其特征在于：
所述辅助图案，形成在所述半导体衬底中由所述元件隔离区域包围的第二活性区域上且是具有突出在所述元件隔离区域上的突出部分的第二栅电极。
11.根据权利要求10所述的半导体器件，其特征在于：
所述第一栅电极的栅极长度方向上的侧面与所述第二栅电极的栅极长度方向上的侧面相向。
12.根据权利要求10所述的半导体器件，其特征在于：
所述第一栅电极的栅极长度方向上的侧面与所述第二栅电极的栅极长度方向上的侧面在栅极长度方向上错开着相向。
13.根据权利要求1到9中之任一项权利要求所述的半导体器件，其特征在于：
所述辅助图案仅形成在所述元件隔离区域上。
14.根据权利要求1到9中之任一项权利要求所述的半导体器件，其特征在于：
所述辅助图案，在电气上不做有效的工作。
15.根据权利要求1到9中之任一项权利要求所述的半导体器件，其特征在于：
所述辅助图案由与构成所述第一栅电极的材料不同的材料形成。
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