[发明专利]图像传感器结构及其制作方法无效
| 申请号： | 200710103981.2 | 申请日： | 2007-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN101308815A | 公开（公告）日： | 2008-11-19 |
| 发明（设计）人： | 张锦维;陈鸿年;王鸿宪 | 申请（专利权）人： | 力晶半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种制作图像传感器的方法。首先提供包含多个次像素的基底，依序在基底上形成导电层与光导层。然后图案化该导电层和光导层，分别于各次像素中形成像素电极以及感光结构，且相邻次像素的像素电极以及感光结构不相连接。接着在基底表面形成图案化介电层，暴露出各次像素的感光结构，以及在基底表面形成透明导电层，设于各次像素内的感光结构上。 | ||
| 搜索关键词： | 图像传感器 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1、一种制作图像传感器的方法，该方法包含有：提供基底，其表面定义有多个次像素；依序在该基底表面形成第一导电层以及光导层；图案化该第一导电层以及该光导层，以分别在各该次像素中形成像素电极以及感光结构，并且相邻的各该次像素的这些像素电极以及这些感光结构不相连接；在该基底表面形成图案化介电层，并且暴露出各该次像素的该感光结构；以及在该基底表面形成透明导电层，设于各该次像素内的该感光结构上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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