[发明专利]半导体存储器及其操作方法有效

专利信息
申请号: 200710103315.9 申请日: 2007-05-18
公开(公告)号: CN101075474A 公开(公告)日: 2007-11-21
发明(设计)人: 池田仁史 申请(专利权)人: 富士通株式会社
主分类号: G11C7/10 分类号: G11C7/10;G11C11/406
代理公司: 隆天国际知识产权代理有限公司 代理人: 张龙哺
地址: 日本神奈*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种半导体存储器及其操作方法。该半导体存储器中的操作控制电路,在芯片使能信号激活期间,根据第一存取命令的接收执行第一存取操作,并在芯片使能信号激活期间,根据下一个存取命令的接收,在比第一存取操作更短的时间内执行对存储核心进行存取的第二存取操作。因此,通过在相同的存取端子处接收相同的存取命令,就能够执行存取时间不同的两种类型的存取操作。无需在对半导体存储器进行存取的控制器等器件中形成专用端子,以在两种类型的操作之间进行区分。第一与第二存取操作的选择性使用提高了半导体存储器的操作效率。因此,能够提高半导体存储器的操作效率而无需增加整合半导体存储器的系统的成本。
搜索关键词: 半导体 存储器 及其 操作方法
【主权项】:
1.一种半导体存储器,包括:存储核心,具有多个存储单元以及与所述存储单元连接的字线和位线;使能端子,接收允许对所述存储核心进行存取的芯片使能信号;命令端子,接收对所述存储核心执行存取操作的存取命令;地址端子,根据所述存取命令一次性接收地址,该地址指示要进行存取的存储单元;以及操作控制电路,在所述芯片使能信号激活期间,在接收到第一存取命令时执行第一存取操作,并在接收到下一个存取命令时执行第二存取操作,所述第二存取操作在比所述第一存取操作更短的时间内对所述存储核心进行存取。
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