[发明专利]半导体器件以及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件，该半导体器件能够在写入动作之际不发生写入不良、可靠性低下等问题地、进行向氮化硅膜的电子注入，并可以同时实现控制写入力、防止电荷从氮化硅膜的逸失、以及可靠地向沟道区施加偏压。在沟道区(23)的上侧相互离间设置第1及第2浮栅(39a及39b)。并且，以覆盖这些第1及第2浮栅的方式形成控制栅(51)。而且，含有存储功能体的第1及第2ONO膜(37a及37b)，设在第1及第2浮栅的下侧。

主权项

1.一种半导体器件，其特征在于，具备：半导体衬底，形成在该半导体衬底的元件区域中的沟道区，夹持所述元件区域的所述沟道区而形成的第1及第2主电极区域，在所述沟道区的上侧表面上相互分离而设置的第1及第2ONO膜，包括：下部氧化膜、设在该下部氧化膜的上侧表面上的电荷存储氮化膜、以及设在该电荷存储氮化膜的上侧表面上的上部氧化膜，该第1及第2ONO膜的各自的一个侧面分别位于所述沟道区的、在上侧衬底面上与所述第1及第2主电极区域的边界上，分别设在所述第1及第2ONO膜的上侧表面上的第1及第2浮栅，以均匀的膜厚覆盖包括所述第1及第2ONO膜和所述第1及第2浮栅的所述元件区域的上侧而形成的层间绝缘膜，以及，以将所述第1及第2ONO膜之间、和所述第1及第2浮栅之间填充、并且覆盖所述层间绝缘膜的上侧表面的方式设置的控制栅。