[发明专利]金属－绝缘体－金属结构及其形成方法有效
| 申请号： | 200710098239.7 | 申请日： | 2007-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN101060141A | 公开（公告）日： | 2007-10-24 |
| 发明（设计）人： | 王郁仁;林杏莲;杜友伦 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/92 | 分类号： | H01L29/92;H01L23/522;H01L27/00;H01L21/02;H01L21/768;H01L21/82 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明揭露一种金属－绝缘体－金属结构及其形成方法，该结构具有较高电容并可减少穿隧电流。在较佳实施例中，该结构具有第一电极，包含一磁矩为第一方向的磁性金属；以及第二电极，包含一磁矩为第二方向的磁性金属，其中第一方向与第二方向是反向平行。此外，更包括接触第一电极与第二电极的介电层，此介电层隔开第一电极与第二电极。本发明所述的金属－绝缘体－金属结构及其形成方法，可避免介电层的漏电流，并可增加MIM结构的电容同时缩减其厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 绝缘体 金属结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种金属-绝缘体-金属结构，其特征在于，包括：一第一电极，包括一磁性金属，且其磁矩排列为一第一方向；一第二电极，包括一磁性金属，且其磁矩排列为一第二方向，其中该第一方向与该第二方向反向平行；以及一介电层，夹设于该第一电极与该第二电极之间，且接触该磁性金属。
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