[发明专利]由多个金属层制成的半导体装置封装引线框架有效

专利信息
申请号: 200710090879.3 申请日: 2007-04-09
公开(公告)号: CN101068005A 公开(公告)日: 2007-11-07
发明(设计)人: 詹姆斯·哈恩登;安东尼·谢;王黎明;杨宏波 申请(专利权)人: 捷敏服务公司
主分类号: H01L21/48 分类号: H01L21/48;H01L23/495
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 代理人: 王允方;刘国伟
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 通过将至少两个金属层结合在一起来制造一种具有凸起形体的用于半导体装置封装的引线框架。第一金属层可界定包括任何电路小片焊垫及引线的引线框架的横向尺寸。结合至第一金属层的第二金属层可界定引线框架的凸起形体,例如用于在实体上将引线框架紧固于封装本体内的阶梯。所述多个金属层可通过许多可能的技术结合到一起,包括(但不限于)超声波焊接、软焊、或使用环氧树脂。在结合之前或之后,可对一个或一个以上金属层进行压花或冲压以形成其他形体,例如分岔或沟槽。
搜索关键词: 金属 制成 半导体 装置 封装 引线 框架
【主权项】:
1、一种制造用于半导体装置封装的引线框架的方法,所述方法包括:提供界定引线框架的第一金属层;提供界定引线框架的凸起形体的第二金属层;以及将所述第一金属层结合至所述第二金属层。
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