[发明专利]防止相邻栅极相互影响的半导体器件及其制造方法

摘要

本发明的半导体器件在有源区中具有一对栅极形成区、两栅极形成区间的漏极形成区，及在两栅极形成区外的源极形成区。凹栅形成于有源区的各栅极形成区内并且在形成于基板中其面对着漏极形成区的下埋部侧壁上向内凹入，从而各下埋部具有减少的宽度，因而产生不对称的结构，其中凹栅的下埋部间的距离乃大于凹栅的上埋部间的距离。源极与漏极区形成于基板表面上的凹栅的两侧。

主权项

1.一种半导体器件，包括：硅基板；形成于该硅基板中的隔离结构，所述隔离结构界定有源区，该有源区具有：一对栅极形成区；在这些栅极形成区间的漏极形成区；及在这些栅极形成区外的源极形成区；各形成于该有源区的该栅极形成区的凹栅，各凹栅包括：在该基板的栅极形成区内的下埋部与上埋部，其中下埋部的侧壁形成比上埋部的侧壁从该漏极形成区延伸得更远，致使各该下埋部的宽度窄于形成于上面的上埋部的宽度，且其中该对凹栅的下埋部间的距离大于该对凹栅的上埋部间的距离；及形成于该基板表面上这些凹栅两侧的源极与漏极区。