[发明专利]通用性薄膜材料图形化方法无效
| 申请号： | 200710047946.3 | 申请日： | 2007-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN101143699A | 公开（公告）日： | 2008-03-19 |
| 发明（设计）人： | 丁桂甫;蔡豪刚;杨卓青 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海交达专利事务所 | 代理人： | 王锡麟;王桂忠 |
| 地址： | 200240*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开一种微机械加工技术领域的通用性薄膜材料图形化方法。本发明通过光刻或掩模电镀在基片上制备一次性平面微模具；在整个基片范围内淀积薄膜材料，填满微模具的空隙；通过研磨加工去除薄膜高出微模具的多余部分，并减至所需厚度；选择性去除一次性平面微模具，得到所需微结构。本发明既可制造单层结构，也可制造叠层结构，且可与牺牲层工艺相结合，制造悬空结构，具有不受薄膜材料、厚度、淀积方法，以及衬底材料限制，通用化的优点，解决了一些薄膜材料用常规方法无法制造具有较大厚度以及整齐边界微结构的问题，工艺简单，图形化质量较高，与常规微加工工艺兼容，不需特殊的工艺或设备，易于推广。 | ||
| 搜索关键词： | 通用性 薄膜 材料 图形 方法 | ||
【主权项】：
1.一种通用性薄膜材料图形化方法，其特征在于，包括以下步骤：第一步，通过光刻或掩模电镀在基片上制备一次性平面微模具；第二步，在整个基片范围内淀积薄膜材料，填满微模具的空隙；第三步，通过研磨加工去除薄膜高出微模具的多余部分，并减至所需厚度；第四步，选择性去除一次性平面微模具，得到所需微结构。
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