[发明专利]通用性薄膜材料图形化方法无效
申请号: | 200710047946.3 | 申请日: | 2007-11-08 |
公开(公告)号: | CN101143699A | 公开(公告)日: | 2008-03-19 |
发明(设计)人: | 丁桂甫;蔡豪刚;杨卓青 | 申请(专利权)人: | 上海交通大学 |
主分类号: | B81C1/00 | 分类号: | B81C1/00 |
代理公司: | 上海交达专利事务所 | 代理人: | 王锡麟;王桂忠 |
地址: | 200240*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 通用性 薄膜 材料 图形 方法 | ||
1.一种通用性薄膜材料图形化方法,其特征在于,包括以下步骤:
第一步,通过光刻或掩模电镀在基片上制备一次性平面微模具;
第二步,在整个基片范围内淀积薄膜材料,填满微模具的空隙;
第三步,通过研磨加工去除薄膜高出微模具的多余部分,并减至所需厚度;
第四步,选择性去除一次性平面微模具,得到所需微结构。
2.如权利要求1所述的通用性薄膜材料图形化方法,其特征是:所述在基片上制备一次性平面微模具,具体为:
a、光刻显影:如果用光刻胶作为微模具,直接光刻显影;
b、掩模电镀:如果用金属作为微模具,则在光刻前溅射电镀的种子层,并在光刻后进行掩模电镀。
3.如权利要求1或2所述的通用性薄膜材料图形化方法,其特征是:所述在基片上制备一次性平面微模具,可进行多次的微模具复制,用第一次制得的微结构作为第二次的微模具,将图形进一步转移到所需薄膜材料上。
4.如权利要求1所述的通用性薄膜材料图形化方法,其特征是:所述在整个基片范围内淀积薄膜材料,具体通过旋压、涂覆、蒸镀、溅射、物理气相淀积、化学气相淀积、或电镀实现,淀积薄膜材料是金属、氧化物、聚合物以及多层复合材料。
5.如权利要求1所述的通用性薄膜材料图形化方法,其特征是:所述研磨加工采用物理研磨或化学机械抛光。
6.如权利要求5所述的通用性薄膜材料图形化方法,其特征是:所述物理研磨,是指:用平面砂轮磨盘或者砂纸研磨,从粗到细,依次研磨平整,直到将薄膜高出微模具的部分去除,微模具的上表面全部露出,然后通过测微显微镜检测进度,用细砂磨盘或者砂纸研磨至需要的厚度。
7.如权利要求1所述的通用性薄膜材料图形化方法,其特征是:所述选择性去除一次性平面微模具,具体为:对于光刻胶微模具,用丙酮或者碱液去除;对于金属微模具,根据工艺兼容性选择刻蚀液配方;在叠层结构的制造过程中,与牺牲层工艺相结合,如果有悬空结构,在悬空结构厚度薄、悬空距离小的情况下,加入防止粘附的工艺措施。
8.如权利要求1所述的通用性薄膜材料图形化方法,其特征是:重复以上的第一步到第三步,用以制造叠层结构。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海交通大学,未经上海交通大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200710047946.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。