[发明专利]光刻胶的涂布方法及光刻图形的形成方法有效
| 申请号： | 200710044346.1 | 申请日： | 2007-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN101354534A | 公开（公告）日： | 2009-01-28 |
| 发明（设计）人： | 郝静安;尹朝丽 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/16 | 分类号： | G03F7/16 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种光刻胶的涂布方法，包括：提供半导体晶片；旋转所述半导体晶片，并向所述半导体晶片表面中央或接近中央的区域喷出光刻胶；其中，在旋转所述半导体晶片过程中，向该半导体晶片背面靠近边缘区域喷出气体，以防止光刻胶沿该半导体晶片边缘流动至背面。本发明还提供一种光刻图形的形成方法。该方法可减少或消除反溅引起的缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 方法 图形 形成 | ||
【主权项】：
1、一种光刻胶的涂布方法，其特征在于，包括：提供半导体晶片；旋转所述半导体晶片，并向所述半导体晶片表面中央或接近中央的区域喷出光刻胶；其中，在旋转所述半导体晶片过程中，向该半导体晶片背面靠近边缘区域喷出气体，以防止光刻胶沿该半导体晶片边缘流动至背面。
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