[发明专利]光刻胶的涂布方法及光刻图形的形成方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种光刻胶的涂布方法及光刻图形的形成方法。

背景技术

半导体制造工艺中，通过一系列的光刻、刻蚀、掺杂、薄膜沉积、平坦化以及清洗等工艺在半导体晶片上形成具有各种功能的集成电路，其中，用于定义刻蚀或掺杂区域的光刻工艺起着十分重要的作用。

在光刻工艺中，首先在半导体晶片上形成光刻胶层；然后将该光刻胶层进行烘烤(Bake)后置于曝光设备中，通过曝光工艺对所述光刻胶层进行曝光，将掩模板上的图案转移到光刻胶层中；接着对曝光后的光刻胶层进行曝光后烘烤(Post Exposure Bake，PEB)，并通过显影工艺进行显影，在光刻胶层中形成光刻图形。

专利号为US6,410,194美国专利公开了一种光刻胶层的形成方法，在其公开的方法中，通过计算机确定待形成的光刻胶层的各种工艺参数，并根据所述的工艺参数，通过旋涂在半导体晶片表面形成光刻胶层。

一般的，旋涂方法形成光刻胶层的步骤如下：

首先需要将半导体晶片置于旋涂设备的支撑台上，通过真空吸附该半导体晶片；

通过马达驱动所述支撑台旋转，该支撑台带动所述半导体晶片旋转；

向所述半导体晶片表面的中央喷出光刻胶；

在所述半导体晶片的旋转的离心力的作用下，光刻胶沿半导体晶片表面向外铺开，并覆盖整个半导体晶片的表面，形成光刻胶层，多余的光刻胶被甩出所述半导体晶片的表面之外；

继续旋转半导体晶片的表面，使得半导体晶片表面不同位置的光刻胶层的厚度尽可能的一致，并使光刻胶层中的溶剂挥发；

在所述旋涂方法形成光刻胶层的步骤，需要向半导体晶片的背面边缘喷洒清洗液，对半导体晶片的背面进行清洗(Backrinse)，以去除光刻胶沿半导体晶片边缘流向背面造成的污染，该污染会通过该半导体晶片对曝光机的载片台造成污染，影响曝光工艺的线宽。

然而，通过清洗液对半导体晶片的背面进行清洗时，由于半导体晶片处于旋转状态，喷洒到半导体晶片背面的溶剂会被甩到旋涂设备的侧壁，并被反溅(Spatter)至光刻胶层的表面，造成缺陷(Defect)，该缺陷进一步使得形成的光刻图案具有缺陷，并引起刻蚀或离子注入的缺陷。

发明内容

本发明提供一种光刻胶的涂布方法及光刻图形的形成方法，该方法可减少或消除反溅造成的缺陷。

本发明提供的一种光刻胶的涂布方法，包括：

提供半导体晶片；

旋转所述半导体晶片，并向所述半导体晶片表面中央或接近中央的区域喷出光刻胶；

其中，在旋转所述半导体晶片过程中，向该半导体晶片背面靠近边缘区域喷出气体，以防止光刻胶沿该半导体晶片边缘流动至背面。

可选的，喷出的气体的方向垂直于所述半导体晶片的背面。

可选的，喷出的气体的方向倾斜于所述半导体晶片的背面，且倾斜的方向朝向所述半导体晶片的边缘。

可选的，喷出的气体的方向在半导体晶片背面的夹角为135度。

可选的，所述喷出的气体为惰性气体或氮气。

可选的，该方法进一步包括：在向所述半导体晶片表面中央喷出光刻胶之前，

向所述半导体晶片表面中央或接近中央的区域喷出RRC；

旋转所述半导体晶片，使RRC沿所述半导体晶片表面向边缘铺开，并向所述半导体晶片背面靠近边缘区域喷出气体，以防止RRC向所述半导体晶片背面流动。

可选的，该方法进一步包括：在向所述半导体晶片表面中央喷出光刻胶之前，

向所述半导体晶片表面中央或接近中央位置喷出RRC；

旋转所述半导体晶片，使RRC沿所述半导体晶片表面向边缘铺开，覆盖整个半导体晶片表面，并向所述半导体晶片背面靠近边缘区域喷出气体，以防止RRC向所述半导体晶片背面流动。

可选的，旋转所述半导体晶片的步骤如下：

以第一速率旋转所述半导体晶片；

以小于第一速率的第二速率旋转所述半导体晶片；

以大于第二速率且小于第一速率的第三速率旋转所述半导体晶片；

以小于第三速率的第四速率旋转所述半导体晶片。

可选的，在以第四速率旋转所述半导体晶片时，向所述半导体晶片表面的边缘喷出清洗液。

可选的，喷出的气体的流量根据半导体晶片旋转的速率不同而变化，当半导体晶片旋转速率增大时，减小喷出气体的流量；当半导体晶片旋转速率减小时，增大喷出气体的流量。

可选的，所述喷出的气体的流量为50至100m³/min。

本发明还提供一种光刻图形的形成方法，包括：