[发明专利]光刻胶的涂布方法及光刻图形的形成方法

权利要求书

1.一种光刻胶的涂布方法，其特征在于，包括：

提供半导体晶片；

旋转所述半导体晶片，并向所述半导体晶片表面中央或接近中央的区域喷出光刻胶；

其中，在旋转所述半导体晶片过程中，向该半导体晶片背面靠近边缘区域喷出气体，以防止光刻胶沿该半导体晶片边缘流动至背面；

旋转所述半导体晶片的步骤如下：

以第一速率旋转所述半导体晶片；

以小于第一速率的第二速率旋转所述半导体晶片；

以大于第二速率且小于第一速率的第三速率旋转所述半导体晶片；

以小于第三速率的第四速率旋转所述半导体晶片。

2.如权利要求1所述的光刻胶的涂布方法，其特征在于：喷出的气体的方向垂直于所述半导体晶片的背面。

3.如权利要求1所述的光刻胶的涂布方法，其特征在于：喷出的气体的方向倾斜于所述半导体晶片的背面，且倾斜的方向朝向所述半导体晶片的边缘。

4.如权利要求3所述的光刻胶的涂布方法，其特征在于：喷出的气体的方向在半导体晶片背面的夹角为135度。

5.如权利要求1至4任一权利要求所述的光刻胶的涂布方法，其特征在于：所述喷出的气体为惰性气体或氮气。

6.如权利要求1所述的光刻胶的涂布方法，其特征在于，该方法进一步包括：在向所述半导体晶片表面中央喷出光刻胶之前，

向所述半导体晶片表面中央或接近中央的区域喷出用于减小光刻胶用量的表面活性剂；

旋转所述半导体晶片，使用于减小光刻胶用量的表面活性剂沿所述半导体晶片表面向边缘铺开，并向所述半导体晶片背面靠近边缘区域喷出气体，以防止用于减小光刻胶用量的表面活性剂向所述半导体晶片背面流动。

7.如权利要求1所述的光刻胶的涂布方法，其特征在于，该方法进一步包括：在向所述半导体晶片表面中央喷出光刻胶之前，

向所述半导体晶片表面中央或接近中央位置喷出用于减小光刻胶用量的表面活性剂；

旋转所述半导体晶片，使用于减小光刻胶用量的表面活性剂沿所述半导体晶片表面向边缘铺开，覆盖整个半导体晶片表面，并向所述半导体晶片背面靠近边缘区域喷出气体，以防止用于减小光刻胶用量的表面活性剂向所述半导体晶片背面流动。

8.如权利要求1所述的光刻胶的涂布方法，其特征在于：在以第四速率旋转所述半导体晶片时，向所述半导体晶片表面的边缘喷出清洗液。

9.如权利要求1所述的光刻胶的涂布方法，其特征在于：喷出的气体的流量根据半导体晶片旋转的速率不同而变化，当半导体晶片旋转速率增大时，减小喷出气体的流量；当半导体晶片旋转速率减小时，增大喷出气体的流量。

10.如权利要求1所述的光刻胶的涂布方法，其特征在于：所述喷出的气体的流量为50至100m³/min。

11.一种光刻图形的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体晶片；

旋转所述半导体晶片，并向所述半导体晶片表面中央或接近中央的区域喷出光刻胶，使光刻胶沿该半导体晶片的表面向边缘铺开，在所述半导体晶片表面形成光刻胶层；

对所述光刻胶层进行软烘烤；

提供掩模板，通过曝光将掩模板上的图案转移到所述光刻胶层中；

对所述光刻胶层执行曝光后烘烤工艺；

对经过曝光后烘烤的光刻胶层执行显影工艺，在所述光刻胶层中形成光刻图形；

其中，在旋转所述半导体晶片过程中，向该半导体晶片背面靠近边缘区域喷出气体，以防止光刻胶沿该半导体晶片边缘流动至背面；

旋转所述半导体晶片的步骤如下：

以第一速率旋转所述半导体晶片；

以小于第一速率的第二速率旋转所述半导体晶片；

以大于第二速率且小于第一速率的第三速率旋转所述半导体晶片；

以小于第三速率的第四速率旋转所述半导体晶片。

12.如权利要求11所述的光刻图形的形成方法，其特征在于：喷出的气体的方向垂直于所述半导体晶片的背面。

13.如权利要求11所述的光刻图形的形成方法，其特征在于：喷出的气体的方向倾斜于所述半导体晶片的背面，且倾斜的方向朝向所述半导体晶片的边缘。