[发明专利]半导体分形电容的制造方法有效
| 申请号： | 200710041100.9 | 申请日： | 2007-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN101312124A | 公开（公告）日： | 2008-11-26 |
| 发明（设计）人： | 魏秉钧 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李文红 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体分形电容的制造方法，包括步骤：提供表面已形成介质层的衬底；在所述介质层上定义电极图形；根据定义后的电极图形的线宽调整将要进行的刻蚀工艺条件；按照所述刻蚀工艺条件刻蚀所述介质层，形成电极沟槽；在所述电极沟槽内填充金属；对所述金属进行平坦化处理。本发明的半导体分形电容的制造方法通过对后续工艺参数的调整，弥补了前步工艺出现的偏差，确保了制造出来的半导体分形电容的实际电容值接近或等于设计值。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 电容 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体分形电容的制造方法，其特征在于，包括步骤：提供表面已形成介质层的衬底；在所述介质层上定义电极图形；根据定义后的图形线宽调整将要进行的刻蚀工艺参数；按照所述刻蚀工艺参数刻蚀所述介质层，形成电极沟槽；在所述电极沟槽内填充金属；对所述金属进行平坦化处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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