[发明专利]半导体器件及半导体器件的栅极制作方法有效
| 申请号： | 200710040239.1 | 申请日： | 2007-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN101295730A | 公开（公告）日： | 2008-10-29 |
| 发明（设计）人： | 魏莹璐;宁先捷 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/49 | 分类号： | H01L29/49;H01L29/772;H01L29/78;H01L21/28;H01L21/335;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李文红 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件及半导体器件的栅极制作方法，该半导体器件包括衬底和位于所述衬底之上的多晶硅栅极，其中，所述多晶硅栅极至少由两层以上的多晶硅层组成，且各层多晶硅层的晶粒大小不同。本发明的半导体器件的栅极制作方法，通过调整多晶硅层的沉积条件或加入快速热退火处理，形成了具有不同晶粒大小的多层多晶硅栅极结构，改善了小尺寸器件易因后续的离子注入工艺而导致的栅极漏电问题。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 栅极 制作方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体器件，包括衬底和位于所述衬底之上的多晶硅栅极，其特征在于：所述多晶硅栅极为至少由两层以上的多晶硅层组成的多层结构，且相邻多晶硅层的晶粒大小不同。
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