[发明专利]半导体器件及半导体器件的栅极制作方法有效
| 申请号： | 200710040239.1 | 申请日： | 2007-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN101295730A | 公开（公告）日： | 2008-10-29 |
| 发明（设计）人： | 魏莹璐;宁先捷 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/49 | 分类号： | H01L29/49;H01L29/772;H01L29/78;H01L21/28;H01L21/335;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李文红 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 栅极 制作方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体器件，包括衬底和位于所述衬底之上的多晶硅栅极，其特征在于：所述多晶硅栅极为至少由两层以上的多晶硅层组成的多层结构，且相邻多晶硅层的晶粒大小不同，所述多层结构中包括非晶硅层，所述非晶硅层的厚度要小于
2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于：所述多层结构中，晶粒越小的多晶硅层厚度越小。
3.一种半导体器件的栅极制作方法，包括步骤：
提供衬底；
在所述衬底上沉积第一多晶硅层；
在所述第一多晶硅层上沉积第二多晶硅层，且所述第一多晶硅层与所述第二多晶硅层的晶粒大小不同；在沉积第二多晶硅层之后，还沉积了一层非晶硅层，所述非晶硅层的厚度要小于
在所述衬底上形成栅极图形；
刻蚀所述衬底，形成栅极。
4.如权利要求3所述的制作方法，其特征在于：所述第一多晶硅层的晶粒大于所述第二多晶硅层的晶粒。
5.如权利要求4所述的制作方法，其特征在于：所述第一多晶硅层的厚度大于所述第二多晶硅层的厚度。
6.如权利要求3所述的制作方法，其特征在于：沉积非晶硅层之后，还对所述衬底进行了离子注入处理。
7.如权利要求3所述的制作方法，其特征在于：沉积第一和第二多晶硅层时还进行了在位掺杂处理。
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