[发明专利]半导体器件及其制作方法无效
| 申请号： | 200710037679.1 | 申请日： | 2007-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN101246903A | 公开（公告）日： | 2008-08-20 |
| 发明（设计）人： | 王津洲 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/02;H01L21/336;H01L21/82 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李文红 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体器件及其制作方法，所述半导体器件包括半导体衬底，位于半导体衬底上的栅极、栅极介电层、位于栅极介电层上的栅极，以及半导体衬底内位于栅极沟道层两侧的源极和漏极。本发明半导体器件的特征在于衬底上的栅极沟道层与两侧的源极和漏极的带电离子为相同型态。利用栅极沟道层半导体衬底上掺杂离子浓度与源极和漏极掺杂离子浓度的差异；源/漏极在外加横向电压的作用下，栅极沟道的电子或空穴束缚于不导电的状态。在纵向外加电场的影响下而处于自由移动状态，电子迁移率随横向电场而极快加速，以控制源极和漏极之间的电导率。本发明半导体器件可以提供更快速，供电压更低，与密度更高的半导体元件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1. 一种半导体器件，包括半导体衬底，位于半导体衬底上的栅极、栅极介电层、位于栅极介电层上的栅极，和半导体衬底内位于栅极沟道层与介电层两侧的源极和漏极，以及位于源极和漏极表面延伸的连接界面层和沿栅极表面延伸的连接界面层，其特征在于：所述衬底上的栅极沟道层与两侧的源极和漏极中的带电离子为相同型态。
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