[发明专利]自限定边界的薄膜图形制备方法有效
| 申请号： | 200710036593.7 | 申请日： | 2007-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN101055830A | 公开（公告）日： | 2007-10-17 |
| 发明（设计）人： | 许军;富春 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/288;H01L21/3205;H01L21/768;H01L51/00;H01L51/40;H01L51/56;H05K3/00;H05K3/10;G02B3/00;G02B5/20 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 20043*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属薄膜制备技术领域，具体为一种自限定边界的薄膜图形制备方法。其步骤是在玻璃或塑料基板上先形成一阻隔层，在阻隔层上方利用与阻隔层具有可溶性或可分散性的成膜材料的溶液或悬浮液经印刷法等形成薄膜，通过自边界效应(Self－bank)在成膜区域的边缘形成边界，然后将基板根据需要进行退火处理，除去阻隔层。所形成的自限定边界的薄膜具有连续边界和良好的膜厚均匀性。所制备的薄膜可应用于印刷线路板(PCB)、有机发光二极管(OLED)、有机场效应管(OTFT)、彩色滤光片(CF)、微透镜等中。 | ||
| 搜索关键词： | 限定 边界 薄膜 图形 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种自限定边界的薄膜图形的制备方法，其特征在于，具体步骤如下：(1)提供一基板；(2)在该基板上方形成一阻隔层；(3)将成膜材料溶解或分散于溶剂中，配制形成溶液或悬浮液；(4)根据事先设计的图形，将成膜材料的溶液或悬浮液沉积于阻隔层上方，形成一层图案化的薄膜，且成膜区域在边缘自发形成边界；(5)根据需要进行退火，以去除阻隔层；其中：所使用的基板是玻璃、塑料或有机材料；所述的阻隔层材料是具有可溶性的材料；所使用的成膜材料是具有可溶性或可分散性的材料；所使用的溶剂对所述阻隔层材料和所述成膜材料同时具有溶解性或分散性。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
