[发明专利]半导体芯片局部电子辐照方法及装置有效

专利信息
申请号: 200710035980.9 申请日: 2007-10-29
公开(公告)号: CN101145519A 公开(公告)日: 2008-03-19
发明(设计)人: 张明;李继鲁;蒋谊;陈芳林 申请(专利权)人: 株洲南车时代电气股份有限公司
主分类号: H01L21/268 分类号: H01L21/268
代理公司: 湖南兆弘专利事务所 代理人: 赵洪
地址: 412001*** 国省代码: 湖南;43
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摘要: 半导体芯片局部电子辐照方法及装置,将芯片置于芯片的电子辐照区内的“电子直线加速器”辐照床上,通过一个分区电子辐照装置,采用局部遮挡电子照射的方法,实现对半导体芯片上的不同区域进行局部电子辐照。所述的局部遮挡电子照射的方法是利用金属挡块可以隔离电子射线的原理,在不需要或需要不同电子辐照剂量电子照射的部分,设置不同厚度的可以隔离电子射线的金属挡块挡住电子辐照的电子射线,实现对半导体芯片上的不同区域进行独立电子辐照。尤其是采用金属铅制成的挡块,遮挡住芯片上不需要辐照部分的电子射线,实现对半导体芯片上的不同区域进行局部电子辐照。
搜索关键词: 半导体 芯片 局部 电子 辐照 方法 装置
【主权项】:
1.半导体芯片局部电子辐照方法,其特征在于:将芯片置于芯片的电子辐照区内的辐照床上,通过一个分区电子辐照装置,采用局部遮挡电子照射时电子射线的方法,实现对半导体芯片上的不同区域进行局部电子辐照。
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