[发明专利]一种采用能量束焊接的微纳结构组装方法无效
| 申请号： | 200710026638.2 | 申请日： | 2007-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN101012052A | 公开（公告）日： | 2007-08-08 |
| 发明（设计）人： | 许宁生;安帅;佘峻聪;邓少芝;陈军 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | B81C3/00 | 分类号： | B81C3/00;B23K26/20;B23K15/00;B23K10/00 |
| 代理公司： | 广州新诺专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 华辉 |
| 地址： | 510275广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种采用能量束焊接的微纳结构组装方法。在组装的过程中，由显微工具对组装过程进行监测，使被焊接的微纳结构A与微纳结构B相互靠近后，利用范德瓦尔斯力、静电吸引力或者胶质粘贴使微纳结构A和微纳结构B相互吸附，形成接触，然后利用能量束进行焊接组装。在焊接过程中，加入了隔绝氧气的氮气保护装置，能成功的避免焊接点被氧化。由于本发明实现了在不引入其他物质的情况下，就可以实现微纳结构A与微纳结构B的组装，从而本发明不仅能够在不影响微纳结构接触部位的导电性能、在高温时微纳结构不易脱落的情况下，实现微纳结构的焊接组装，而且能够精确控制微纳结构的焊接组装。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 采用 能量 焊接 结构 组装 方法 | ||
【主权项】：
1、一种采用能量束焊接的微纳结构组装方法，其特征在于：在组装的过程中，由显微工具对组装过程进行监测，使被焊接的微纳结构A与微纳结构B相互靠近后，利用范德瓦尔斯力、静电吸引力或者胶质粘贴使微纳结构A和微纳结构B相互吸附，形成接触，然后利用能量束进行焊接组装。
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- 本发明适用于微纳米测量仪器计量技术领域，提供了一种基于多层膜沉积的寻迹式线宽标准样片及其制备方法，该寻迹式线宽标准样片包括：依次设置的第一衬底样片、多层介质层和第二衬底样片；第一衬底样片的第一面上设置多个第一凹槽，每个第一凹槽内均具有与第一衬底样片的第一面齐平的第一填充介质；第一凹槽内未设置第一填充介质的部分为第一寻迹凹槽；第二衬底样片的第一面上设置多个第二凹槽，每个第二凹槽内均具有与第二衬底样片的第一面齐平的第二填充介质；第二凹槽内未设置第二填充介质的部分为第二寻迹凹槽。本发明通过多个第一寻迹凹槽和多个第二寻迹凹槽，便于寻找多层介质层中作为标准线条的一层，实现大倍率测量的关键设备的快速校准。
- 晶圆级碱金属气室的制备方法及装置-202211697146.7
- 王云翔 - 苏州美图半导体技术有限公司
- 2022-12-28 - 2023-05-12 - B81C3/00
- 本发明涉及一种晶圆级碱金属气室的制备方法及装置。其包括制备预气室晶圆单元，将碱金属沉积在正对应的气室孔槽内，且在气室孔槽内沉积所需的碱金属后，将预气室晶圆单元冷却至常温；提供气室封装晶圆，并将所述气室封装晶圆与上述冷却至常温的预气室晶圆单元进行低温预键合，以在低温预键合后，利用气室封装晶圆封闭预气室晶圆单元内的气室孔槽；对上述低温与键合的气室封装晶圆与预气室晶圆单元进行高温阳极键合，其中，高温阳极键合时，键合气压处于分子泵本底真空状态。本发明能有效实现碱金属气室的制备，避免了碱金属因高温而产生逃逸，同时保证了键合强度，提高了所制备碱金属气室的可靠性。
- 一种晶圆通孔结构的金属填充方法-202310015648.5
- 许戎戎;李波 - 航科新世纪科技发展（深圳）有限公司
- 2023-01-06 - 2023-05-09 - B81C3/00
- 本发明公开了一种晶圆通孔结构的金属填充方法，包括如下步骤：在第一晶圆中制备通孔；在第二晶圆的表面依次沉积光刻胶层和导电层；将第一晶圆和第二晶圆紧固在一起，使得所述导电层与所述第一晶圆中通孔的底面抵接；将第一晶圆和第二晶圆放置在电铸液中进行电铸金属填充，使得电铸金属自通孔底部至通孔顶部填充在通孔内；将第一晶圆和第二晶圆浸泡在去胶溶剂中进行分离，去除通孔外部的电铸金属和导电层，获得电铸金属填充的晶圆通孔结构。本发明提供的一种晶圆通孔结构的金属填充方法，不必采用复杂的第二晶圆键合工艺，能够形成稳定的底面支撑及导电层支撑结构，同时第一晶圆和第二晶圆易于分离，适用于任意尺寸和形状的通孔金属填充。
- 一种具有内壁保护层的微型原子气室及制备方法-202211579959.6
- 李兴辉;杜婷;韩攀阳;李洋;陈海军;蔡军;冯进军 - 中国电子科技集团公司第十二研究所
- 2022-12-09 - 2023-05-09 - B81C3/00
- 本发明公开了一种具有内壁保护层的微型原子气室及制备方法：所述微型原子气室的结构包括：上到下依次设置的第二玻璃层、具有通孔结构的硅基体和第一玻璃层；所述通孔结构、第一玻璃层和第二玻璃层构成微型原子气室；所述微型原子气室内表面被保护层完全覆盖，碱金属被保护层封裹在微型原子气室内部。其中，本发明提供的微型原子气室中，保护层只存在原子气室内壁，不存在玻璃和硅基体的交界面，不会影响原子气室键合工艺界面，利于实现微型原子气室的高强度、高气密性；而且碱金属被保护层封裹在原子气室内部，防止碱金属原子因为扩散进入内壁或与内壁材料发生化学反应导致的数量减少，从而能够提高微型原子气室的寿命。
- MEMS器件的制备方法及MEMS晶圆-202211739967.2
- 王红海 - 绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
- 2022-12-30 - 2023-05-02 - B81C3/00
- 本申请实施例涉及一种MEMS器件的制备方法及MEMS晶圆，其中，该方法包括：提供第一晶圆，其待键合面上形成有第一对准标记和第一键合标记；提供第二晶圆；在第二晶圆的待键合面上形成第二对准标记和第二键合标记；第二对准标记从第二晶圆的待键合面延伸至第二晶圆的内部，第二对准标记具有位于第二晶圆的待键合面上的第一端和位于第二晶圆内部的第二端；以第一晶圆的待键合面朝向第二晶圆的待键合面且第一键合标记和第二键合标记彼此对准的方式，将第二晶圆键合在第一晶圆上；去除部分第二晶圆，以使第二对准标记的第二端暴露；如此，避免了晶圆上有效面积损失，也避免了箭影问题，提高了晶圆上实际有效管芯的数量。
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